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浦志卫; 郭维;
浙江大学信息与电子工程学系,微电子技术与系统设计研究所,杭州,310027;
互补MOS工艺; 延伸漏极N型MOS; 二维器件模拟软件; 击穿电压;
机译:28 nm和40 nm CMOS工艺在静电放电应力下漏极扩展的NMOS的研究
机译:深入了解纳米级漏极扩展NMOS(DeNMOS)器件的ESD行为:第二部分(二维研究-与NMOS的偏置和比较)
机译:P衬底全耗尽Ge NMOS的漏极诱导势垒降低(DIBL)效应和亚阈值特性的研究
机译:纳米尺度漏极延伸NMOS(DE-NMOS)中ESD事件下损坏的3D设备造型
机译:硅化N NMOS作为肖特基势垒CMOS工艺候选者的探索性研究
机译:凸源/漏极(RSD)和垂直掺杂漏极(LDD)多Si薄膜晶体管
机译:定量研究漏极延伸区上的氧化物电荷俘获与断态漏极漏电流之间的关系
机译:具有镍合金源/漏极的基于锑化物的异质结构p沟道mOsFET。
机译:CMOS设备,包括一个NMOS晶体管和一个漏极/源极区,该NMOS晶体管具有重复的漏极和源极区,而PMOS晶体管则具有一个硅/锗材料
机译:N掺杂的选择性外延生长用于在NMOS鳍片中形成不可见的源极漏极延伸区
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