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刘其贵; 吴金; 郑娥; 魏同立; 何林;
东南大学微电子中心,南京,210096;
信息产业部电子第二十四研究所,重庆,400060;
多晶硅发射极; 双极晶体管; 双极工艺;
机译:多晶硅中硼扩散的研究及其在浅发射极结的p-n-p多晶硅发射极双极晶体管设计中的应用
机译:多晶硅发射极SiGe基双极晶体管-当Ge进入发射极时会发生什么?
机译:原位磷掺杂多晶硅发射极技术,用于超高速,小型发射极双极晶体管
机译:多晶硅发射极双极晶体管中存在界面氧化物破裂的发射极电阻的2D计算机模拟
机译:发射极通过分子束外延生长的磷化铟异质结双极晶体管。
机译:多晶硅法的合成与表征多晶硅氧化物纳米粒子及其在废水中重金属修复的应用
机译:多晶硅发射极双极晶体管发射极延迟的紧凑电荷比表达式
机译:具有sIpOs(半绝缘多晶硅)异质结发射极和离子注入快速热退火基区的高频硅双极晶体管
机译:用于双极晶体管的自调节外延发射极的生产工艺在基极上方形成发射极层,然后覆盖掺杂的多晶硅并进行退火
机译:绝缘体上的多晶硅集电极多晶硅发射极双极晶体管
机译:具有多晶硅层的双极晶体管的制造方法,该多晶硅层用作发射极并钝化悬空键
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