一种高效率的1060 nm半导体激光器设计

张永棠

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设计了一种高效的1060 nm大功率半导体激光器,该激光器包含有源层、波导层和光限制层.其中有源层采用InGaAs/GaAs量子阱(QW)结构,将该层控制在临界厚度范围内,提高腔内量子效率;波导层采用非故意掺杂GaAs材料非对称大光学腔结构,减小空腔损耗;光限制层采用掺杂的Al0.25 Ga0.75 As材料形成线性的过渡,以减小串联电阻.应用MOCVD对器件结构进行优化,外延,制作和封装测试,获得功率效率为47.4％的1060 nm半导体激光器.实验结果表明,腔内量子效率达到98.57％,腔损仅为0.273 cm-1.在室温下,QCW脉冲条件下制备的器件具有4 mm腔长和100μm条宽的器件,效率达到47.4％,峰值波长为1059.4 nm.

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来源
《电子器件》 |2018年第6期|1357-1361|共5页
作者
张永棠;
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作者单位

广东东软学院计算机科学与技术系;

广东佛山528225;

南昌工程学院江西省协同感知与先进计算技术研究所;

江西南昌330003;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类激光器结构;
关键词
半导体激光器; 波导; 量子阱; MOCVD;

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