CMOS微波射频芯片任意温度系数自适应补偿技术及芯片设计

张萌; 陈自然; 何宁

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CMOS微波射频芯片任意温度系数自适应补偿技术及芯片设计

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摘要

CMOS芯片以其成本优势在设计制造中得到广泛青睐,伴随着工艺节点的提升,其频率覆盖范围已达到微波及太赫兹频段.但由于CMOS的工艺特性以及微波射频放大器普遍采用的开环架构,导致其温度特性较差,随着温度升高,放大器增益下降显著,传统的温度补偿方案难以实现全温度范围内的正温系数补偿.因此,提出一种基于温度检测和可变增益放大的自适应CMOS芯片任意温度系数补偿方案,分析了补偿原理,并通过设计一款自适应L波段温度补偿放大器芯片进行验证,测试结果显示在25°C、65°C补偿点,分别实现了 5 dB和10 dB的无相位跳变的增益补偿,与设计相符.该结果可以推广到各频段、任意温度系数、任意补偿区间及任意阶梯级数.在雷达、电子对抗和通信领域具有广泛应用前景,对微波射频芯片产品设计有一定指导意义.

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来源
《电子器件》 |2021年第2期|262-267|共6页
作者
张萌; 陈自然; 何宁;
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作者单位

航天科工通信技术研究院有限责任公司四川成都610051;

东南大学航天科工通信技术研究院量子信息与通信联合研究中心江苏南京211100;

航天科工通信技术研究院有限责任公司四川成都610051;

东南大学航天科工通信技术研究院量子信息与通信联合研究中心江苏南京211100;

航天科工通信技术研究院有限责任公司四川成都610051;

东南大学航天科工通信技术研究院量子信息与通信联合研究中心江苏南京211100;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类 TP433;
关键词
CMOS微波射频芯片; 自适应温度补偿; 任意系数;

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