等离子体CVD生长金刚石薄膜中衬底负偏压增强成核机制

机译：石墨丝的起源对改善CH 4 / Ar等离子体中负偏压增强的生长超纳米晶金刚石薄膜电子场发射性能的影响

机译：预处理偏压通过偏压增强的成核和生长对超纳米晶金刚石膜成核和生长机制的影响：一种通过化学键映射进行界面化学分析的方法

机译：石墨细丝起源于改善CH_4 / Ar等离子体中负偏压增强的超纳米晶金刚石薄膜的电子场发射性能

机译：偏压增强成核对通过等离子体增强化学气相沉积金刚石薄膜的热导的影响

机译：通过微波等离子体增强化学气相沉积（MPECVD）合成和表征金刚石薄膜。

机译：新型金刚石薄膜合成策略：无氢的微波等离子体CVD法制备甲醇和氩气氛

机译：在氩气稀释甲烷中抑制低功率和低温微波等离子体自偏压增强金刚石薄膜二次成核的机制

机译：用于研究仪器的pECVD（等离子体增强化学气相沉积）金刚石薄膜

机译：通过等离子体增强化学气相沉积在衬底上生长金刚石薄膜的方法

机译：用于在等离子体CVD涂覆工艺中涂覆衬底的设备具有金属导电元件，该金属导电元件具有预定电势，该金属导电元件布置在衬底与等离子体之间的暗室中

机译：等离子体增强化学气相沉积（CVD）方法填充半导体衬底中的沟槽