成核

摘要： 目前,随着我国油气田开发和换热设备的发展,在管道输送和换热设备中结垢的问题日趋严重。油田注水开发会导致管线中含水量上升,增大管道的结垢率,为了解决油田开发的结垢问题,许多学者针对管道结垢做了大量研究。从结垢的作用机理和影响因素出发,阐述了管道结垢的原因,介绍了利用计算流体力学软件进行结垢预测的模型。

摘要： 水体中过量的磷会造成水体富营养化,而同时磷也是一种不可再生资源。从废水中回收磷不仅可以减少水体污染,还可以实现磷资源的回收。结晶法的反应条件温和、操作简便,具有较好的应用前景。对此,文章深入分析了结晶法中体系过饱和度对磷去除回收过程的影响及机制,探讨了各影响因素对结晶法处理效率及产物性质等的影响,简析了该法的实际应用实例,并对该法在磷污染物去除及磷资源循环再利用过程中的优化策略及发展方向进行了展望。

摘要： 气溶胶通过散射或吸收长波和短波辐射影响着地球的气候系统。2-甲基甘油酸是一种气溶胶示踪剂,在大气观测和成核实验中被多次观测到。而硫酸和甲磺酸作为非常重要的气溶胶前体物,也受到广泛的关注。基于DF-MP2-F12/VDZ-F12结合M06-2X/6-311++G(3df,3pd)理论方法对2-甲基甘油酸-硫酸/甲磺酸团簇进行了计算模拟,分析了其在大气中的物理化学性质。结果表明2-甲基甘油酸-硫酸团簇和2-甲基甘油酸-甲磺酸团簇的吉布斯自由能具有相同的温度依赖性。2-甲基甘油酸-硫酸/甲磺酸团簇会优先蒸发2-甲基甘油酸分子而不是硫酸/甲磺酸分子,且随着尺寸增加, 2-甲基甘油酸分子的蒸发速率迅速增加。此外,还计算了2-甲基甘油酸-硫酸/甲磺酸团簇的瑞利散射强度和极化率,有助于理解此类团簇对大气光辐射的影响。

摘要： 单分散纳米氧化硅颗粒被广泛应用于建筑、日化、航天、催化以及半导体等领域。制备纳米氧化硅颗粒需要经历成核和生长两个过程,其中成核过程是决定纳米颗粒球形度、集中度、颗粒形貌的基础。因此研究成核过程对整个反应和最终产品有着重要的意义。本工作以水玻璃为原料采用离子交换法制备纳米氧化硅颗粒,对硅酸浓度、单体添加速度以及颗粒成核中的形貌进行了细致的研究。结果发现,硅酸的适宜浓度为5%(质量分数);单体的添加时间宜维持在10 h;最终的颗粒粒径为21.8 nm。成核初期溶液中没有单分散的晶核,只存在无定形和相互交联的网状结构硅胶。以本工作确定的原料浓度和添加时间能够制备出单分散、球形度好的纳米氧化硅晶核,为后期颗粒的均匀生长提供重要的先决条件。

摘要： 近年来,在研究水合物防控过程中,动力学水合物抑制剂以其使用剂量低、抑制效果显著等优点得到广泛关注,但目前仍存在过冷度和浊点低、生物降解性能不足等问题。为了研发绿色、经济、抑制性能优异的新型动力学抑制剂,为后续研究提供方向,对基于水合物成核与生长机理的动力学抑制剂作用机理进行综述,分析动力学抑制剂代表性官能团相应的抑制作用、机制以及水合物抑制剂性能的影响因素。研究结果表明:多数动力学抑制剂为表面活性剂,通过亲水基团与疏水基团的作用抑制水合物成核与生长;目前动力学抑制剂的研究主要集中在水相,缺乏对油水两相体系下的研究;对动力学抑制剂进行化学改性是当前重要手段之一,但目前所进行的化学改性提升的性能单一,缺乏多方位的综合改性研究;多数抑制剂存在协同抑制效应;许多动力学抑制剂存在双重抑制功能;动力学抑制剂的分子构象对其性能影响显著;目前对动力学抑制剂微观机理仍不明确;拓宽动力学抑制剂适用范围、提高生物降解性是重点研究方向。

摘要： 锂金属电池具有较高的理论比容量和最低的氧化还原电位,被认为是最有前途的电化学储能器件之一。然而,金属锂阳极上的锂枝晶所引起的一些关键问题严重阻碍了其实际应用。首先从离子浓度、电场、应力、温度四方面因素介绍了多形貌锂枝晶成核和生长机理;同时,总结了一些用于表征锂枝晶的先进技术;并归纳了抑制锂枝晶形成的策略,包括控制锂枝晶成核的亲锂表面电极、非均相晶核,控制锂枝晶生长的三维导电基体、物理涂层,以及具有固定阴离子的纳米结构电解质和形成球形锂沉积的盐包水电解质。最后提出了挑战和展望,探讨了锂枝晶的未来研究方向。

摘要： 成核作为溶液结晶的第一步,是决定晶体产品质量的关键因素。目前,成核理论主要包括经典成核理论和非经典成核理论。相比于仅以原子、离子或分子等均匀稳定结构为单元的经典成核理论,非经典成核理论以纳米级前聚体为单元,这类单元涵盖了聚集体、纳米粒子等介尺度非均匀动态结构,导致形成的非经典成核过程更为复杂,需在传统的化学、化学工程和过程系统工程研究方法的基础上,充分利用介尺度科学研究方法完成其核心规律的探究。为此,总结了二步成核理论、预成核团簇理论、粒子附着晶化理论以及其他新提出的非经典成核理论,分析了其中的介尺度结构及其时空动态行为,并探讨了利用介尺度数学模型对现有成核数学模型的修正和优化的思路,最后对溶液结晶中晶体成核的介尺度研究范式及理论发展进行了展望。

摘要： 在结晶实验台架上进行阻垢剂作用下的石膏结晶反应实验,对石膏成核、生长和形貌变化进行研究。结果表明:阻垢剂能够推迟石膏结晶诱导时间,抑制石膏成核;阻垢剂吸附在晶胚表面上,导致晶体畸变和粒径增大,促进了石膏生长;阻垢剂质量浓度由1 mg/L增加到20 mg/L时,无磷阻垢剂和磷系阻垢剂的成核抑制指数分别增加15~16倍和13~14倍,石膏生长速率分别升高8~9倍和6~7倍;阻垢剂的畸变作用导致石膏晶体由针状转化为片状和团簇状晶体,随阻垢剂质量浓度增加,石膏晶体团簇半径增大。

摘要： 通过厚壁圆筒爆轰坍塌实验和有限元数值模拟,研究了45钢柱壳内壁表面粗糙度对其剪切带行为的影响。实验结果表明:外爆加载下,金属柱壳内壁表面粗糙度显著改变试样剪切带的成核位置和数量;当柱壳内壁表面粗糙度增大时,剪切带的数量和长度均增加,部分剪切带的扩展速度也增大;而当柱壳内壁表面的峰谷单元的平均宽度减小时,其剪切带的成核点数量增加,相邻剪切带之间的相互作用增强。有限元模拟和分析结果表明,柱壳中的最大剪切应力产生于柱壳内壁表面峰谷单元的谷底两侧,表面粗糙度的增大和峰谷单元平均宽度的减小均会提升柱壳内表面的剪切应力,促进柱壳中剪切带的成核和扩展,进而导致剪切带成核数量增多,主剪切带发展加快,剪切带屏蔽效应增强。

摘要： 以硫酸镁和氢氧化钠为原料,邻苯二甲酸氢钾为络合剂,采用络合-水热法制备了碱式硫酸镁纳米线;采用宏观动力学方法结合微观结构分析,进行碱式硫酸镁结晶机理研究。通过分析Mg浓度与时间的变化关系曲线,建立结晶动力学方程;然后根据晶体缺陷分析碱式硫酸镁纳米线表面成核机制。实验结果表明:碱式硫酸镁纳米线在140和160°C结晶机理为多核控制表面生长;在180和200°C时结晶机理发生了变化,转变为线性控制表面生长;碱式硫酸镁纳米线的晶格中存在着较多的刃型位错与螺型位错,可以促进其表面成核、快速生长。

摘要： 研究了自制的热致液晶性纤维素芳族酯(AECE)对聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)的结晶成核作用,表征了AECE含量0-0.5wt℅体系在110-200°C温度范围的等温结晶动力学特性,比较了AECE和几种无机、有机、液晶成核剂的成核效果,证明AECE可作为高效成核剂,明显改善PET的注塑可模塑性,且适当含量和加工条件下有提高模塑件强度和刚性的作用.

摘要： 5'-鸟苷酸二钠存在无定形体和晶体两种固体状态.利用在线监测手段(FBRM和PVM)和离线监测手段(XRD)对5'-鸟苷酸二钠在水+A二元溶剂体系中由无定形体转化为晶体(晶型Ⅰ)的过程进行研究.通过对转化过程中固体颗粒粒度、形状和晶体结构变化的分析,对转化机理进行推断.结果表明,5'-鸟苷酸二钠无定形体转化为晶体过程的机理为溶液过渡转化(SMT),即无定形5'-鸟苷酸二钠不断溶解,而5'-鸟苷酸二钠晶体则经历成核和成长的过程,最终无定形体全部转化为晶体。

摘要： 本文通过对颗粒的分布作出一个合理的对数正态分布假设,运用矩方法(MomentMethod)求解颗粒的一般动力学方程(GeneralDynamicEquation),来研究颗粒的尺寸分布情况.数值计算结果表明,在成核,冷凝和凝并共同作用下,颗粒的数目先增加后减少,平均体积先减小后增大的特性。

摘要： 在12L聚合釜内,原位合成了PET/纳米SiO复合材料,实现了纳米SiO在聚对苯二甲酸乙二酯(PET)基体中均匀地分散.借助于DSC、PLM等仪器,研究了纳米SiO粒子对PET结晶过程的影响及其在PET结晶过程中的作用.结果表明,纳米SiO粒子使PET结晶更加完善;起到异相结晶成核的作用,降低了结晶成核界面自由能,从而大大加快了PET的结晶速度.

摘要： 以Master-2000型激光粒度仪测定的粒度分布为基础,考察了种分过程中2μm和20-30μm粒径粒子总质量(Wt)随时间(t)的变化关系.分析了铝酸钠溶液种分过程的二次成核与苛性比(α)、初始晶种量以及温度的关系,发现成核过程主要在种分前期进行,后期细颗粒因长大和附聚会减少,随温度升高,75°C下溶液几乎没有明显成核;20-30μm的粒子变化在α较低的情况下(1.3),远大于相同初始晶种量的高α铝酸钠溶液,表明可能其主要由附聚得到.

摘要： 该文结合实验结果提出一个c-BN薄膜沉积过程中相转变模型，解释了c-BN成核，即从h-BN（r-BN）向c-BN的相转变。

摘要： 半导体技术和微加工工艺的进步,促进了MEMS微流体器件的发展.本文研究MEMS器件中微热气泡的生长,可揭示微小空间尺度相变机理.本文综述了国内外微热气泡生长理论模型和微热气泡生长实验的研究进展,分析研究现状特点和存在的问题.设计并加工了微通道内微气泡控制生长实验器件,讨论微气泡控制生长实验方案,有助于深入了解微尺度相变传热传质特性,可为新型MEMS微流体相变驱动器件的开发和设计提供参考.

摘要： 半导体技术和微加工工艺的进步,促进了MEMS微流体器件的发展.本文研究MEMS器件中微热气泡的生长,可揭示微小空间尺度相变机理.本文综述了国内外微热气泡生长理论模型和微热气泡生长实验的研究进展,分析研究现状特点和存在的问题.设计并加工了微通道内微气泡控制生长实验器件,讨论微气泡控制生长实验方案,有助于深入了解微尺度相变传热传质特性,可为新型MEMS微流体相变驱动器件的开发和设计提供参考.

摘要： 本发明的目的在于提供一种改良聚烯烃系树脂用结晶成核剂的流动性而不阻碍其它特性的方法、以及含有该流动性得到改良的结晶成核剂的、透明性等性能优异的聚烯烃系树脂组合物及其成型体。发现了通过调整为特定的性状能够改善结晶成核剂的流动性，通过使用具有该特定的性状的结晶成核剂，能够得到成型加工时的操作性得到大幅改善、进而透明性等性能优异的聚烯烃系树脂组合物及其成型体。

摘要： 本发明的目的在于提供一种改良聚烯烃系树脂用结晶成核剂的流动性而不阻碍其它特性的方法、以及含有该流动性得到改良的结晶成核剂的、透明性等性能优异的聚烯烃系树脂组合物及其成型体。发现了通过调整为特定的性状能够改善聚烯烃系树脂用结晶成核剂的流动性，通过使用具有该特定的性状的结晶成核剂，能够得到成型加工时的操作性得到大幅改善、进而透明性等性能优异的聚烯烃系树脂组合物及其成型体。

摘要： 本发明的目的在于，提供一种脂环式二羧酸的金属盐、该脂环式二羧酸的金属盐的制造方法以及包含该脂环式二羧酸的金属盐的结晶成核剂，该脂环式二羧酸的金属盐在聚烯烃系树脂中的分散性优异，其结果是，作为聚烯烃系树脂用的结晶成核剂的本质上的性能的结晶性的改善效果非常优异，而不依赖于加工条件，进而提供一种包含该结晶成核剂和脂肪酸的金属盐的聚烯烃系树脂用的结晶成核剂组合物，此外，提供一种包含该结晶成核剂的聚烯烃系树脂组合物和以该聚烯烃系树脂组合物为原料的聚烯烃系树脂成型体。本发明涉及一种脂环式二羧酸的金属盐，其中，脂环式二羧酸为具有烷基取代基的环己烷－1，2－二羧酸，并且金属盐为钙盐、羟基铝盐、二钠盐或二锂盐。

摘要： 本发明的目的在于提供一种改良聚烯烃系树脂用结晶成核剂的流动性而不阻碍其它特性的方法、以及含有该流动性得到改良的结晶成核剂的、透明性等性能优异的聚烯烃系树脂组合物及其成型体。发现了通过调整为特定的性状能够改善聚烯烃系树脂用结晶成核剂的流动性，通过使用具有该特定的性状的结晶成核剂，能够得到成型加工时的操作性得到大幅改善、进而透明性等性能优异的聚烯烃系树脂组合物及其成型体。

摘要： 本发明的目的在于提供一种改良聚烯烃系树脂用结晶成核剂的流动性而不阻碍其它特性的方法、以及含有该流动性得到改良的结晶成核剂的、透明性等性能优异的聚烯烃系树脂组合物及其成型体。发现了通过调整为特定的性状能够改善结晶成核剂的流动性，通过使用具有该特定的性状的结晶成核剂，能够得到成型加工时的操作性得到大幅改善、进而透明性等性能优异的聚烯烃系树脂组合物及其成型体。

摘要： 本发明的目的在于，提供一种改良聚烯烃系树脂用结晶成核剂的流动性的方法、包括该方法的流动性得到改良的聚烯烃系树脂用结晶成核剂的制造方法以及通过该方法得到的流动性得到改良的聚烯烃系树脂用结晶成核剂、进一步含有该结晶成核剂的透明性优异的聚烯烃系树脂组合物及其成型体。本发明通过在聚烯烃系树脂用结晶成核剂中，将休止角设为特定的范围，并且，将制成厚度1mm的聚烯烃系树脂成型体时的雾度值设为特定的范围，在树脂中的分散性、溶解性优异，并且，显示出显著得到改良的流动性，通过进一步使用该结晶成核剂，能够容易得到透明性非常优异的聚烯烃系树脂组合物及其成型体。

摘要： 本申请涉及一种聚苯乙烯发泡成核剂母粒的制备方法以及应用成核剂母粒的发泡聚苯乙烯，属于聚合物加工的技术领域，成核剂母粒的制备方法包括以下步骤：S1、利用表面处理剂对无机颗粒进行表面改性，得到改性颗粒；S2、将改性颗粒、苯乙烯单体、引发剂和共聚单体加入到挤出机内进行原位聚合反应，得到聚苯乙烯发泡成核剂母粒；所述步骤S2中，表面处理剂中的官能团与共聚单体中的活性官能团发生接枝反应。本申请中成核剂母粒的表面被聚苯乙烯完全包覆，在制备发泡聚苯乙烯时，成核剂母粒在基体中具有极高的分散性，从而发泡效果较好。

摘要： 一种光电子装置包含：成核抑制涂层(NIC)，所述NIC安置在所述装置的在其横向方面的第一部中的第一层表面上；以及导电涂层，所述导电涂层安置在所述装置的在其所述横向方面的第二部中的第二层表面上；其中用于在所述第一部中的所述NIC的表面上形成所述导电涂层的初始粘附概率显著小于用于在所述第二部中的所述表面上形成所述导电涂层的初始粘附概率，使得所述第一部中的所述NIC的所述表面基本上缺乏所述导电涂层。

摘要： 本申请提供一种成核层结构、半导体器件及成核层结构的制造方法，该成核层结构包括：在衬底层上形成至少两个第一成核层和至少两个第二成核层；第一成核层和第二成核层交替间隔设置，衬底层和第一成核层接触；第二成核层掺杂金属杂质，金属杂质包括可以形成正离子的金属。通过间歇性供氨气形成多层结构，并且在不供氨气时掺杂金属化合物金属杂质。如此，在可以减少三甲基铝和氨气预反应的同时使使成核层结构中具有金属正离子，从而在可以提高成核层晶体质量的同时，又可以减少成核层结构中深能级空穴对二维电子气的影响。

摘要： 一种光电子装置，其包含：成核抑制涂层(NIC)，所述NIC安置在所述装置的在其侧面的第一部中的表面上；以及导电涂层，所述导电涂层安置在所述装置的在其所述侧面的第二部中的表面上；其中在所述第一部中，所述导电涂层针对所述NIC的初始粘附概率显著小于针对所述表面的初始概率，使得所述第一部基本上缺乏所述导电涂层。