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葛静; 宋贤江; 杜国威; 李浩杰; 游雨蒙;
东南大学化学化工学院 南京211189;
BA2PbCl4薄层; 铁电性; 氩等离子体刻蚀;
机译:等离子体辅助CVD法制备超薄铁电PZT薄膜的制备与表征
机译:具有不同HfSiON缓冲层厚度的金属铁电绝缘体Si二极管和晶体管的制备与表征
机译:等离子体辅助原子层沉积生长的轻掺杂La:HfO_2薄膜的铁电性能
机译:C轴和非C轴的铁电性能表征,其外延生长层结构的铁电薄膜用MOCVD制备的不同M号
机译:CSD制备的PZT膜的压电和铁电性质及其应用
机译:溶胶-凝胶法制备的PZT / BFO多层薄膜的铁电性能
机译:锶 - 钡 - 铌(sBN)薄膜的结构表征,介电和铁电性能铌酸锶钡(sBN)薄膜的结构表征,介电和铁电性能
机译:铁电晶体中的铁电性和导电性
机译:电场加热处理改善铁电薄层铁电性的管式炉和使用相同方法改善铁电薄层铁电性的方法
机译:具有改善的铁电性能的PVDF-TrFE共聚物,制备具有改善的铁电性能的PVDF-TrFE共聚物的方法以及改变PVDF-TrFE共聚物端基的方法
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