硅衬底GaN基LED的研究进展

莫春兰; 方文卿; 王立; 刘和初; 周毛兴; 江风益

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硅衬底GaN基LED的研究进展

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与蓝宝石衬底相比,硅衬底具有低成本、大面积、高质量、导电导热性能好等优点,普遍认为使用Si片作GaN薄膜衬底有可能实现光电子和微电子的集成,因此Si基GaN的研究受到了广泛关注.本文回顾了Si衬底GaN基LED的研究进展, 同时简要介绍了在Si衬底上制备GaN基LED的实验结果,及研制出工作电压为3.6 V、串联电阻为31 Ω、输出功率近1 mW的Si衬底GaN基蓝光LED.

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来源
《液晶与显示》 |2005年第5期|422-429|共8页
作者
莫春兰; 方文卿; 王立; 刘和初; 周毛兴; 江风益;
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作者单位

南昌大学,教育部发光材料与器件工程研究中心,江西,南昌,330047;

南昌大学,教育部发光材料与器件工程研究中心,江西,南昌,330047;

南昌大学,教育部发光材料与器件工程研究中心,江西,南昌,330047;

南昌大学,教育部发光材料与器件工程研究中心,江西,南昌,330047;

南昌大学,教育部发光材料与器件工程研究中心,江西,南昌,330047;

南昌大学,教育部发光材料与器件工程研究中心,江西,南昌,330047;

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正文语种 chi
中图分类半导体性质;
关键词
发光二极管; GaN; Si衬底;

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