用金属有机气相外延法生长的GaN:Mg及其发光特性

李碧琳

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本文第一次公布了 GaN:Mg 的金属有机气相外延生长法和它的发光性质,所用有机 Mg 气源是 Cp2Mg 或MCp2Mg。实验发现在 GaN 中的 Mg 浓度正比于 Mg 气源的流动速率。Mg 进入 GaN 中的掺杂效率在衬底温度处于850到1040℃之间时与此温度无关;Mg 在 GaN 中起受主作用,并形成蓝色发光中心。用制备 GaN:Mg/GaN 的办法可制成高效的近紫外光和蓝色发光二极管。

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来源
《液晶与显示》 |1991年第2期|P.24-26|共3页
作者
李碧琳;
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作者单位

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类液晶显示器件;
关键词
气相外延 GaN:Mg 发光二极管流动速率生长法衬底温度光特性蓝色发光发光性质异质外延;

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