均匀块状磷砷镓的制造方法

张玉先

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均匀块状磷砷镓的制造方法

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＜正＞自从美国蒙三托公司采用GaAs单晶做为衬底的气相外延生长法（PVE）工业生产GaAs-xPx单晶以来,便确立了大量使用Ⅲ—V族化合物半导体单晶的地位。红色发光元件用的GaAs1-xGaxP/GaAs生长技术,对于以GaP做衬底的黄色发光元件用GaAs1-xPx/GaP单晶、In1-xGaxP/GaP单晶和绿色发光元件用的GaP（N）*/GaP单晶的生长技术带来了很大的影响。

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来源
《发光学报》 |1975年第1期|7-8|共2页
作者
张玉先;
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