纤锌矿结构ZnO中定位Ga-N共掺杂对p型掺杂效率的影响

周昌杰; 康俊勇

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纤锌矿结构ZnO中定位Ga-N共掺杂对p型掺杂效率的影响

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采用第一性原理和密度泛函理论的方法,计算未掺杂、N单掺杂和Ga-N共掺杂纤锌矿结构ZnO的总能、电荷密度和能带结构.总能计算表明,Ga原子的共掺杂使总能极大地降低,从而显著提高杂质N原子在ZnO中的稳定性.电荷密度分布显示,总能的降低主要是Ga-N共掺杂后Ga原子的3d态和N原子的2p态电子之间的强杂化相互作用所致.特别是在Ga原子的负电荷和N原子的正电荷沿c轴排成一线的共掺杂构型中,较大的局域极化场的变化引起价带顶向禁带中的大分裂,降低了N受主的激活能,将空穴的浓度提高了三个量级,有效地提高p型掺杂效率.

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来源
《发光学报》 |2006年第6期|917-921|共5页
作者
周昌杰; 康俊勇;
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作者单位

厦门大学物理系,半导体光子学研究中心,福建,厦门,361005;

厦门大学物理系,半导体光子学研究中心,福建,厦门,361005;

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正文语种 chi
中图分类半导体能带结构;
关键词
氧化锌; p型掺杂; 能带结构;

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