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半导体异质外延薄膜质量的X射线衍射检测方法

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本文介绍了一种使用Ｘ射线宽角测角仪和双晶测角仪相配合的检测半导体体异质外延薄膜的方法。其特点是快速且不损样品，特别适合大于配度的外延生长的条件试验检测，也可用于器件生产过程中的外延质量的监控。此法还可用于各种超晶格结构参数的测量。

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来源
《发光学报》 |1996年第3期|257-260|共4页
作者
葛中久; 李梅; 张志舜; 冯禹臣;
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作者单位

中国科学院长春物理研究所;

中国科学院长春物理研究所;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类 TN304.055;
关键词
X射线检测; 外延; 薄膜; 半导体薄膜;

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