碳化硅宽带隙半导体薄膜的异质外延生长技术及其结构性质分析

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第一章绪论

第二章宽带隙半导体材料SiC

2.1 SiC晶体结构

2.2 SiC的性质与应用

2.2.1 SiC的基本性质

2.2.2 SiC的应用

2.3 SiC的发展动态

2.4 SiC薄膜的生长

2.5 SiCOI技术

2.6小结

第三章碳化硅薄膜的制备

3.1蓝宝石衬底

3.2缓冲层

3.2.1问题的提出

3.2.2缓冲层的作用与要求

3.2.3缓冲层材料的选择

3.3外延生长

3.3.1复合衬底的制备

3.3.2 SiC薄膜的外延生长

3.4小结

第四章碳化硅薄膜生长的物理化学过程及其分析

4.1 SiC薄膜CVD生长的动力学分析

4.1.1气相分解反应

4.1.2吸附表面反应

4.2 SiC薄膜CVD生长的热力学分析

4.3薄膜厚度的测量与温度参数的分析

4.3.1干涉法测膜厚的原理

4.3.2膜厚的测量与分析

4.4薄膜折射率的测量与源气体流量参数的分析

4.5小结

第五章碳化硅薄膜的结构性质分析

5.1 X射线衍射(XRD)分析

5.1.1 XRD分析的基本原理

5.1.2 X射线衍射分析的衍射仪法

5.1.3样品的XRD分析

5.1.4薄膜应力的分析

5.2 X射线光电子能谱(XPS)分析

5.2.1 XPS分析原理

5.2.2样品的XPS分析

5.3光致发光(PL)光谱分析

5.4扫描电子显微镜(SEM)分析

5.4.1SEM分析原理

5.4.2样品的SEM分析

5.5小结

第六章结论

致谢

参考文献

攻读硕士学位期间的研究成果