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单层WSe2、MoSe2激子发光的压力诱导K-Λ交互转变

         

摘要

采用机械剥离法在金刚石对顶砧中制备了单层WSe2和MoSe2样品,利用高压微区荧光光谱测量技术,在氩传压介质环境下对其激子发光行为进行了高压调控研究.其中单层WSe2的中性和负电激子演化趋势在2.43 GPa处出现拐点,单层MoSe2中性激子发光在3.7 GPa处发生了劈裂.结合第一性原理计算分析,确认该不连续现象的产生机制为压力诱导的导带底K-Λ交互转变.该结果可以扩大至整个二维层状材料体系,为发展激子器件垫定基础.

著录项

  • 来源
    《发光学报》 |2018年第12期|1647-1653|共7页
  • 作者单位

    中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 发光学及应用国家重点实验室;

    吉林 长春 130033;

    吉林大学 物理学院;

    吉林 长春 130012;

    中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 发光学及应用国家重点实验室;

    吉林 长春 130033;

    吉林大学 物理学院;

    吉林 长春 130012;

    中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 发光学及应用国家重点实验室;

    吉林 长春 130033;

  • 原文格式 PDF
  • 正文语种 chi
  • 中图分类 光学性质;
  • 关键词

    单层WSe2; 单层MoSe2; 金刚石对顶砧; 激子;

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