激光诱导单层纳米硅结构的形成及其发光特性

岑展鸿; 徐骏; 李鑫; 李伟; 陈三; 刘艳松; 黄信凡; 陈坤基

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激光诱导单层纳米硅结构的形成及其发光特性

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结合激光退火与常规热退火方法对超薄非晶硅层作用,在绝缘衬底上获得了高密度的、均匀的单层纳米硅结构.所得样品通过原子力显微镜、透射电子显微镜和Raman散射谱进行表征,证实了晶化过程的发生和纳米硅晶粒的形成.在得到的5nm厚晶化样品中观察到在660nm左右范围内光致发光峰,初步的分析表明其发光与纳米硅晶粒的形成有关.

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来源
《半导体学报》 |2006年第6期|1016-1020|共5页
作者
岑展鸿; 徐骏; 李鑫; 李伟; 陈三; 刘艳松; 黄信凡; 陈坤基;
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作者单位

南京大学物理系固体微结构物理国家重点实验室;

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正文语种 chi
中图分类材料;
关键词
纳米硅; 激光晶化; 光致发光;

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