一种新型CMOS电容式绝对压力传感器的设计

刘娜; 黄庆安; 秦明

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一种新型CMOS电容式绝对压力传感器的设计

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提出了一种新型的采用标准CMOS工艺结合MEMS后处理工艺加工的电容式绝对压力传感器．传感器结构部分是由导体／介质层／导体组成的可变电容器．电容的上下极板分别为CMOS工艺中的多晶硅栅和n阱硅，中间介质层为栅氧化层．在CMOS工艺加工完之后，利用选择性的体硅腐蚀、pn结自停止腐蚀以及阳极键合等MEMS后处理工艺来得到传感器结构．与传统的电容式压力传感器相比，这种结构具有更大的初始固有电容，这样可以抑制寄生电容的影响，从而简化检测电路的设计．文中，应用多层膜理论模型分析了传感器的结构，并利用ANSYS有限元分析对模型进行了验证，并利用电容变化模型分析了传感器的灵敏度．对于边长为800μm的敏感方膜，初始电容值为1104pF，传感器灵敏度为46fF／hPa．同时，本文给出了传感器的电容检测电路的设计．

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来源
《传感技术学报》 |2006年第5b期|P.1863-18671870|共6页
作者
刘娜; 黄庆安; 秦明;
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作者单位

东南大学MEMS教育部重点实验室,南京210096;

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原文格式 PDF
正文语种 CHI
中图分类 TP212.12;
关键词
CMOS电容式绝对压力传感器; 灵敏度; 电容检测电路;

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