Modifying Quantum Well States of Pb Thin Films via Interface Engineering

FU Ying-Shuang; JI Shuai-Hua; ZHANG Tong; CHEN Xi; JIA Jin-Feng; XUE Qi-Kun; MA Xu-Cun

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Modifying Quantum Well States of Pb Thin Films via Interface Engineering

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我们在由与二不同表面重建在 Si (111 ) 底层上准备 Pb 量岛改进电子监禁上表明接口修正的重要性，即， Si (111 )-7 x 7 并且 Si (111 )-Root3 x Root3-Pb (此后， 7 x 7 并且 R3 ) 。有扫描成长 Pb 在 7 x 7 表面上直接拍摄的通道显微镜学 / 光谱学表演的描述将产生许多接口缺点，它做量井状态(QWS ) 的一生强烈依赖于表面地点。在另一方面，在 R3 表面上的 Pb 电影的 QWS 与在不同表面地点上的线宽的小变化是明确的并且是比 7 x 7 表面上的那些锋利得多的。我们证明在量监禁的改进主要由于在接口散布的减少的电子缺点。[从作者抽象]

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来源
《中国物理快报：英文版》|2010年第6期|160-163|共4页
作者
FU Ying-Shuang; JI Shuai-Hua; ZHANG Tong; CHEN Xi; JIA Jin-Feng; XUE Qi-Kun; MA Xu-Cun;
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作者单位

Institute of Physics, Chinese Academy of Sciences, Beijing 100190;

Department of Physics, Tsinghua University, Beijing 100084;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类半导体量子理论;工程材料力学（材料强弱学）;
关键词
界面工程; 量子阱; 薄膜; 修改; Si(111); 扫描隧道显微镜; 表面重建; 铅;

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