自旋相关的电子隧穿和自旋极化

花修坤; 李振亚

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研究了电子的自旋相关的隧穿和极化.在外加磁场的作用下,自旋向上的电子与自旋向下的电子具有不同的隧穿系数.当电子的自旋方向与磁场方向相反时,其隧穿概率受到磁场的抑制而变小;反之,当两者平行时,电子的隧穿系数增大.这种差异可以用本文中定义的自旋极化率来表示.本文对不同磁场下的自旋极化率进行了计算,结果也表明当电子的动能较小时,这种自旋极化的效应越显著.

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来源
《大学物理》 |2002年第4期|15-17|共3页
作者
花修坤; 李振亚;
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作者单位

苏州大学,物理系,江苏,苏州,215006;

苏州大学,物理系,江苏,苏州,215006;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类量子力学（波动力学、矩阵力学）;
关键词
自旋; 隧穿; 极化率;

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