因di／dt过高烧毁大功率可控硅机理的研究

岳庆来; 王富治

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因di／dt过高烧毁大功率可控硅机理的研究

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在大容量、高电压可控硅的应用中,常出现可控硅局部过热而损坏的事故。究其原因,大多是因可控硅电流扩散速度远小于线路di/dt数值所致。其解决办法是:采用扩散速度快的可控硅,但因其价格昂贵而无法推广。现根据可控硅触发电流大,扩散速度亦大的特点,可采用强触发方式。当感性负载时还必须用双强窄脉冲触发,也可以在主回路中串接空心电感及在过压保护回路中串联一定的电阻来限制di/dt的数值。文中还就脉冲变压器的设计问题作了说明。

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来源
《煤矿机电》 |1990年第5期|9-12|共4页
作者
岳庆来; 王富治;
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作者单位

不详;

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原文格式 PDF
正文语种 CHI
中图分类矿山机械的电力装备与自动化;
关键词
高di／dt; 电气设备; 可控硅; 烧毁;

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