首页> 中国专利> 一种抑制dv/dt，di/dt噪音产生的高压SiC IGBT的结构

一种抑制dv/dt，di/dt噪音产生的高压SiC IGBT的结构

页面导航

摘要
著录项
法律信息
相似文献

摘要

本发明提供了一种抑制dv/dt，di/dt噪音的高压SiC IGBT结构，该改进型半导体结构包括：与阳极欧姆电极接触的P型注入层，与P型注入层上表面接触的N缓冲层，与N缓冲层上表面接触的N‑漂移层，与N‑漂移层上表面接触的电流扩展层；其中，N‑漂移层掺杂浓度目前为目前高压碳化硅器件耐压层典型浓度的1.2～4倍；将N缓冲层分为多个区域，其浓度由P+注入层至N‑漂移层方向递增。针对现有技术中SiC IGBT的dv/dt，di/dt噪音较强的问题，本发明提供的半导体结构将能够将关断瞬态过程中的耗尽区限制在漂移层内，有效避免了穿通效应的产生，从而大幅度地抑制dv/dt，di/dt噪音的产生，同时能够稳定功率损耗在合理的范围内。

著录项

公开/公告号CN111599858A

专利类型发明专利
公开/公告日2020-08-28

原文格式PDF
申请/专利权人湖南大学;
展开▼

申请/专利号CN201911348030.0
发明设计人王俊;刘航志;邓雯娟;
展开▼

申请日2019-12-24
分类号H01L29/739(20060101);H01L29/16(20060101);H01L29/06(20060101);
代理机构11470 北京精金石知识产权代理有限公司;
代理人肖乐愈秋
地址 410082 湖南省长沙市岳麓区麓山南路2号
入库时间 2023-12-17 11:49:32

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2020-08-28

公开

公开

相似文献

专利
中文文献
外文文献

1. 一种抑制dv/dt，di/dt噪音产生的高压SiC IGBT的结构 [P] . 中国专利： CN111599858B . 2021.08.20
2. 一种抑制dv/dt，di/dt噪音产生的高压SiC IGBT的结构 [P] . 中国专利： CN111599858A . 2020-08-28
3. dV/dt dI/dt PoDL PoDL SYSTEM WITH ACTIVE dV/dt and dI/dt CONTROL [P] . 韩国专利： KR101747066B1 . 2017-06-13

机译： dV / dt dI / dt PoDL具有主动dV / dt和dI / dt控制功能的PoDL系统
4. dV/dt dI/dt PoDL PoDL SYSTEM WITH ACTIVE dV/dt and dI/dt CONTROL [P] . 韩国专利： KR20160144485A . 2016-12-16

机译： dV / dt dI / dt PoDL具有主动dV / dt和dI / dt控制功能的PoDL系统
5. MOS- di/dt dv/dt METHOD OF CONTROLLING THE SWITCHING DI/DT AND DV/DT OF A MOS-GATED POWER TRANSISTOR [P] . 韩国专利： KR100334761B1 . 2002-11-29

机译： MOS-di / dt dv / dt控制功率开关晶体管的开关DI / DT和DV / DT的方法