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一种改善快速晶闸管dv／dt,di／dt耐量的方法

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分析了借助镓高斯函数浓度分布改善快速晶闸管ｄｖ／ｄｔ，ｄｉ／ｄｔ耐量的机理，并给出实验结果。

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来源
《电力电子技术》 |1997年第3期|82-84|共3页
作者
裴素华; 赵善麒;
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作者单位

山东师范大学;

北京电力电子新技术研究开发中心;

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正文语种 CHI
中图分类晶闸管（可控硅）;
关键词
电流上升率; 电压上升率; 晶闸管;

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