3D SRAM中的TSV开路故障模型研究

蒋剑锋; 赵振宇; 邓全; 朱文峰; 周康

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3D SRAM中的TSV开路故障模型研究

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基于3D-IC技术的3D SRAM,由于硅通孔TSV制造工艺尚未成熟,使得TSV容易出现开路故障.而现有的TSV测试方式均需要通过特定的电路来实现,增加了额外的面积开销.通过对2DMemory BIST的研究,针对3D SRAM中的TSV全开路故障进行建模,根据TSV之间的耦合效应进行广泛的模拟研究,分析并验证在读写操作下由于TSV的开路故障对SRAM存储单元里所存值的影响,将TSV开路故障所引起的物理故障映射为SRAM的功能故障.该故障模型可以在不增加额外测试电路的情况下,为有效测试和解决这种TSV开路故障提供基础.

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来源
《计算机工程与科学》 |2014年第12期|2331-2338|共8页
作者
蒋剑锋; 赵振宇; 邓全; 朱文峰; 周康;
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作者单位

国防科学技术大学计算机学院;

湖南长沙410073;

国防科学技术大学计算机学院;

湖南长沙410073;

国防科学技术大学计算机学院;

湖南长沙410073;

国防科学技术大学计算机学院;

湖南长沙410073;

国防科学技术大学计算机学院;

湖南长沙410073;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类基本电路;
关键词
3D-IC; TSV; 开路故障; 测试; 建模;

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