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机译:CMOS兼容的铁电NAND闪存,用于高密度,低功耗和高速三维内存
机译:8 / 10PR1ML用于高密度和高速率的磁带存储系统
机译:DCR:NAND闪存存储系统的确定性崩溃恢复
机译:将3D NAND闪存转换为用于深度学习神经网络(DNN)的内存中高密度,高带宽和低功耗非易失性计算(nvCIM)加速器的最佳设计方法
机译:灵活的高密度拼图存储系统
机译:CMOS兼容的铁电NAND闪存用于高密度低功耗和高速三维内存
机译:高度缩放,高密度,商用,非易失性NaND闪存的辐射测试 - 更新2012。
机译:具有集成在一个芯片中的基于NAND的NOR和NAND闪存以及SRAM的存储系统,用于混合数据,代码和高速缓存存储
机译:具有(加速器的)选择性数据存储器的处理器可操作为受害者高速缓存数据存储器或加速器存储器,并且在较低级别的高速缓存中具有受害者高速缓存标签,其中当所述数据存储器处于第一模式和所述高速缓存时,被驱逐的高速缓存行存储在所述数据存储器中当所述数据存储器处于第二模式时,将行存储在系统存储器中而不是数据存储器中
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