NbN/AlN/NbN超导隧道结的制备工艺

刘希; 康琳; 孙静; 赵少奇; 昌路; 吉争鸣; 吴培亨

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NbN/AlN/NbN超导隧道结的制备工艺

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研究了在MgO基片上制备NbN/AlN/NbN结的工艺,NbN和AlN的制备分别采用直流磁控溅射和交流磁控溅射.为了得到良好特性的隧道结,首先要在高真空反应室里沉积三层膜结构,经过光刻和反应离子刻蚀,得到底电极和桥区的三层结构图形.再经过第二步光刻和刻蚀,仅保留底电极最下层的NbN,得到结区的三层结构图形,并覆盖AlN绝缘层.经过Lift-off工艺,洗去结区上的光刻胶,最后沉积上电极.使用四端子方法对制备的隧道结进行了一系列测量,特别是在高频(THz)下的响应.

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来源
《低温与超导》 |2007年第1期|51-52,55|共3页
作者
刘希; 康琳; 孙静; 赵少奇; 昌路; 吉争鸣; 吴培亨;
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作者单位

南京大学电子科学与工程系超导电子学研究所,南京,210093;

南京大学电子科学与工程系超导电子学研究所,南京,210093;

南京大学电子科学与工程系超导电子学研究所,南京,210093;

南京大学电子科学与工程系超导电子学研究所,南京,210093;

南京大学电子科学与工程系超导电子学研究所,南京,210093;

南京大学电子科学与工程系超导电子学研究所,南京,210093;

南京大学电子科学与工程系超导电子学研究所,南京,210093;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类物理学;电工材料;
关键词
超导隧道结; NbN; AlN; 磁控溅射;

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