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常梦琳; 樊星; 张微微; 姚金山; 潘睿; 李晨; 芦红;
南京大学固体微结构物理国家重点实验室;
南京大学现代工程与应用科学学院;
江苏省功能材料设计原理与应用技术重点实验室;
分子束外延; Ⅲ-V族半导体; 硅基砷化镓; 异质外延; 硅基集成;
机译:InGaAs中间层对分子束外延生长在Si(111)衬底上生长的GaAs性能的影响
机译:通过使用从GaAs转换而来的多孔GaN中间层,在Si(111)上生长的应力降低的GaN外延层
机译:通过金属有机化学气相沉积在具有薄的非线性成分分级的Al_xGa_(1-x)N中间层的Si(111)上生长的高质量GaN外延层
机译:具有立方GaN(111)外延中间层的GaAs(111)B上MOVPE生长的GaN层的表征
机译:金属有机气相外延法在Si衬底上异质外延生长GaAs。
机译:通过分子束外延生长在Si(111)衬底上生长的Au催化的GaAs纳米线的电和光学性质
机译:通过Al中间层介导的外延在Si0.7Ge0.3 / Si(100)上外延生长Ni(Al)Si0.7Ge0.3
机译:Gaas(001)和alas(001)衬底上si层的外延生长和界面参数
机译:在Si(111)/(001)SOI衬底或Si(001)/(111)SOI衬底上连续生长GaN和GaAs表象层的方法以及使用在Si(111)上连续形成的GaN和GaAs表象层的半导体发光器件模块)/(001)由此制造的SOI基板
机译:通过降低压力蒸气的生长,Al基体上Al2O3单晶膜在Si基体上的异外延性生长
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