基于复合势垒的AlGaN/GaN异质结材料的制备与性能研究

彭大青; 李忠辉; 蔡利康; 李传皓; 杨乾坤; 张东国; 罗伟科

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基于复合势垒的AlGaN/GaN异质结材料的制备与性能研究

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针对高线性氮化镓微波功率器件研制需求,设计并外延生长了复合势垒的Al_(0.26)Ga_(0.74)N/GaN/Al_(0.20)Ga_(0.80)N/GaN异质结构材料,通过理论计算和电容-电压(C-V)测试表明复合势垒材料存在两层二维电子气沟道。生长的复合势垒材料二维电子气迁移率达到1510 cm^(2)·V^(-1)·s^(-1),面密度达到9.7×1012cm^(-2)。得益于双沟道效应,基于复合势垒材料研制的器件跨导存在两个峰,使得跨导明显展宽,达到3.0 V,是常规材料的1.5倍。复合势垒结构器件的跨导一阶导数与二阶导数具有更加优异的特性,表明其具有更高的谐波抑制能力,显示复合势垒AlGaN/GaN异质结构在高线性应用上的优势。

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来源
《人工晶体学报》 |2023年第5期|746-752|共7页
作者
彭大青; 李忠辉; 蔡利康; 李传皓; 杨乾坤; 张东国; 罗伟科;
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作者单位

南京电子器件研究所;

微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室;

中国电子科技集团有限公司碳基电子重点实验室;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类场效应器件;化合物半导体;
关键词
ALGAN/GAN异质结; 复合势垒; 金属有机物气相沉积; 高线性; 跨导; 二维电子气;

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