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刘凌雁; 高同强; 蔡刚; 黄志洪; 宋柄含; 杨伟华; 徐天睿;
中国科学院空天信息创新研究院;
中国科学院大学电子电气与通信工程学院;
领创医谷北京;
温漂系数; 电源抑制比; 线性调整率;
机译:所有CMOS带隙基准电压源的带隙核心和启动电路设计
机译:1V以下15ppm /°C CMOS带隙基准电压源,无需低阈值电压器件
机译:无电阻高精度补偿CMOS带隙基准电压源
机译:具有仅CMOS子带隙基准电压源的瞬态增强型外部无电容LDO
机译:高温SOI CMOS带隙基准电压源
机译:介电环境和可调带隙晶体管的单层MoS2带隙调制
机译:最小电源电压为0.8V的基于运算放大器的低功耗CMOS带隙基准电压源的设计与实现
机译:带隙电压基准的高阶温度补偿(I)
机译:CMOS子带隙基准电压源,其工作电源电压小于带隙电压
机译:CMOS工艺中具有高PSRR和低电压的无OPAMP带隙基准电压源
机译:使用CMOS的带隙基准电压源
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