开缝腔体场强增强效应抑制方法研究

安静; 吴一辉

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开缝屏蔽腔体不能完全阻断能量耦合,导致在腔内局部区域、特定频点附近形成场强增强效应,对敏感器件或线路构成威胁。以分析腔内场强增强效应及研究抑制方法为出发点,建立3种开缝腔体数值模型,提出并验证腔体涂覆吸波材料、内置吸波柱、内置双层PCB板等谐振抑制方法的有效性。结果表明:在3种腔体模型内表面涂覆吸波材料均能有效抑制场强增强效应,并且涂覆磁损耗型吸波材料效果最好;随着涂覆厚度的增加,谐振抑制效果也增强;腔体中心放置吸波柱,应使用电损耗型吸波材料。腔体内置PCB板既能实现对电子器件和线路的承载功能,还可整体大幅度提升腔体屏蔽效能,对谐振效应的抑制体现在迫使腔体主谐振点偏移,结合使用吸波材料,高阶第2谐振点处谐振抑制效果也明显改善。

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来源
《微波学报》 |2018年第6期|93-96|共4页
作者
安静; 吴一辉;
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作者单位

浙江工业职业技术学院交通学院;

中国科学院长春光学精密机械与物理研究所应用光学国家重点实验室;

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正文语种 chi
中图分类结构;
关键词
开缝屏蔽腔; 场强增强; 吸波材料; 印刷电路板; 谐振;

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