基于玻璃回流的TGV衬底制备

訾鹏; 刘武; 梁贺龙; 徐海军

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基于玻璃回流的TGV衬底制备

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针对MEMS器件背面引线的需求,提出了一种基于玻璃通孔(TGV)加工方法的10.16cm(4inch)圆片衬底的制备工艺流程。首先深硅刻蚀导电硅片,然后将硅片和玻璃片阳极键合,随后将键合后的玻璃-硅圆片经高温加热,使玻璃填充至硅片中,再依次研磨抛光玻璃-硅圆片的正面玻璃和背面硅,直至硅与嵌入玻璃在同一平面,最后得到了厚度为258μm的4inch圆片衬底,其轮廓算术平均偏差、轮廓最大高度、微观不平度十点高度的平均值分别为13,71和49nm。此外,测得圆片中硅导通柱电阻率为0.023Ω·cm。

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来源
《半导体光电》 |2021年第4期|521-524|共4页
作者
訾鹏; 刘武; 梁贺龙; 徐海军;
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作者单位

上海交通大学微米/纳米加工技术国家级重点实验室;

上海200240;

上海交通大学微纳电子学系;

上海200240;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类 TP212.1;
关键词
TGV; 阳极键合; 表面粗糙度; 硅导通柱;

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