基于0.18 μm BiCMOS工艺的2 GS/s采保放大器

著录项

• 来源
  《微电子学》 |2018年第4期|471-474|共5页
• 作者

  张翼; 刘中华; 郭宇锋; 孟桥; 李晓鹏; 张有涛;

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• 作者单位

  射频集成与微组装技术国家地方联合工程实验室;

  南京210023;

  毫米波国家重点实验室;

  南京210096;

  南京邮电大学电子与光学工程学院/微电子学院;

  南京210023;

  江苏亨鑫科技有限公司博士后工作站;

  江苏宜兴214222;

  东南大学射频与光电集成电路研究所;

  南京210096;

  南京电子器件研究所;

  南京210016;

  南京国博电子有限公司;

  南京210016;

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• 原文格式 PDF
• 正文语种 chi
• 中图分类 BICMOS（双极-MOS混合）集成电路;
• 关键词

  采保放大器; 开关射极跟随; 前馈电容; BiCMOS;