长波长QD-VCSELs中的应变补偿理论

冯昊; 俞重远; 刘玉敏

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长波长QD-VCSELs中的应变补偿理论

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从理论角度定量地研究了量子点垂直腔表面发射激光器(QD-VCSELs)中GaNAs应变补偿层对InAs/GaAs量子点阵列生长质量的改善作用,得出了不同补偿浓度和补偿位置对补偿效果影响的规律,得到了确定最佳补偿参数的途径.为长波长(1.2～1.6μm)QD-VCSELs中量子点有源区的制备提供了理论指导.

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来源
《北京邮电大学学报》 |2010年第6期|84-87|共4页
作者
冯昊; 俞重远; 刘玉敏;
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作者单位

光通信与光电子学教育部重点实验室(北京邮电大学);

北京100876;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类 TN304.02;
关键词
应变补偿; 量子点; 垂直腔面发射激光器;

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