非骨架铝在V中心形成过程中的作用

曲振平; 程谟杰; 石川; 包信和

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非骨架铝在V中心形成过程中的作用

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采用电子顺磁共振 (ESR)技术 ,研究了非骨架铝在 H- MCM- 2 2分子筛上 V中心产生过程中的作用 .实验结果表明 ,H- MCM- 2 2分子筛经过高温处理后 ,产生一组六重超精细分裂信号 (A) ,该顺磁信号归属为 V中心 .超精细分裂 ,是由于与骨架铝相连的氧上的电子空穴与骨架铝相互作用的结果 ;分裂信号的产生与温度有关 ,其强度随着温度升高而增强 .不同晶体尺寸的 H- ZSM- 5分子筛的 ESR实验证实 ,容易形成非骨架铝的分子筛易形成 V中心 ,它产生于已经脱铝的分子筛或伴随着脱铝而产生。

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来源
《分子催化》 |2002年第4期|298-302|共5页
作者
曲振平; 程谟杰; 石川; 包信和;
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作者单位

中国科学院大连化学物理研究所催化基础国家重点实验室;

辽宁大连116023;

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正文语种 chi
中图分类催化剂;
关键词
ESR; H-MCM-22; H-ZSM-5; 非骨架铝; V中心; 催化剂; 分子筛; 电子顺磁共振; 缺陷;

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