多晶硅发射极NPN管的辐射效应研究

陈光炳; 张培健; 谭开洲

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多晶硅发射极NPN管的辐射效应研究

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为了研究多晶硅发射极双极晶体管的辐射可靠性,对多晶硅发射极NPN管进行了不同偏置条件下^(60)Coγ射线的高剂量率辐照试验和室温退火试验。试验结果表明,辐射后,基极电流I_B显著增大,而集电极电流I_C变化不大;反偏偏置条件下,I_B的辐射损伤效应在辐射后更严重;室温退火后,I_B有一定程度的持续损伤。多晶硅发射极NPN管与单晶硅发射极NPN管的辐射对比试验结果表明,多晶硅发射极NPN管的抗辐射性能较好。从器件结构和工艺条件方面,分析了多晶硅发射极NPN管的辐射损伤机理。分析了多晶硅发射极NPN管与单晶硅发射极NPN管的辐射损伤区别。

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来源
《微电子学》 |2018年第4期|520-523|共5页
作者
陈光炳; 张培健; 谭开洲;
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作者单位

模拟集成电路重点实验室;

重庆400060;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类 TN322.8;
关键词
多晶硅发射极; NPN管; 辐照偏置; 60Coγ射线; 辐射损伤;

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