LPE生长的In1-xGaxAs/InP异质结构X射线分析

罗江财

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本文叙述了LPE生长的In1-xGaxAs/InP结构的X射线测试原理和方法,分析了该结构的晶格失配、组分和应力等测试结果。采用X射线形貌技术,对外延层和界面进行了观察和分析。结果表明,适当条件下能生长出晶格匹配十分好的晶片,它们在直到11μm厚的情况下无组分梯度;室温下晶格匹配的无失配位错的三元层可厚到9μm;室温下处于较大的负晶格失配时,亦可在9μm或4μm以下不产生失配位错或微裂纹,且表面光亮。不产生失配位错或微裂纹的晶格失配、厚度和组分范围,可比目前报导的大许多。

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来源
《半导体光电》 |1985年第3期|48-54|共7页
作者
罗江财;
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作者单位

重庆光电技术研究所;

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