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兼有离子注入GaAs集成电路的集成量子阱激光发射机

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叙述了由用MOCVD生长的量子阱激光器和离子注入金属—半导体场效应晶体管（MESFET）组成的集成光电子发射机的制作。发射机的性能是:激光器的阈值电流为30mA,微分量子效率50%,MES FET跨导为60mS/mm,工作频率高达2GHz。

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来源
《半导体光电》 |1985年第3期|81-83|共3页
作者
C.S.HONG; 蒋涛;
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