首页> 中文期刊> 《微电子学与计算机》 >微电子测试结构在I~2L RAM研制中的应用

微电子测试结构在I~2L RAM研制中的应用

         

摘要

<正> 一、引言随着现代半导体工程的日趋精细、复杂和严格化,使得采用微电子测试图形检测和监控集成电路制作工艺,被人们普遍地重视起来,并且已经被推广到半导体工程中的各个领域和各个环节。我们在研制双极I~2L RAM电路过程中,为了确保其电路性能稳定、可靠,根据自己的工艺现状,拟定了一项综合性的工艺监控计划。在该计划中,除了常规工艺规程检查之外,还需要特殊设计的微电子测试结构,以便获得所需要的工艺物理参数和电路功能参数。这些测试结构是一些与集成电路工艺相容的微

著录项

  • 来源
    《微电子学与计算机》 |1983年第4期|51-57|共7页
  • 作者

    田霞; 边江;

  • 作者单位

    骊山微电子公司;

    骊山微电子公司;

  • 原文格式 PDF
  • 正文语种 chi
  • 中图分类
  • 关键词

相似文献

  • 中文文献
  • 外文文献
  • 专利
获取原文

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号