离子注入多晶硅的快速热退火研究

机译：快速热退火诱导的多晶硅钝化钝化和伴有Czochralski和铸造多晶硅基材的钝化接触

机译：使用快速热退火（RTA）制备的原位磷掺杂多晶硅及其对多晶硅钝化 - 接触太阳能电池的应用

机译：长时间或超快速热退火的Pr离子注入的ZnO薄膜的结构和光学研究

机译：快速热退火后离子注入硅的光致发光研究

机译：快速热退火对MBE生长的光电器件GaAsBi / GaAs异质结构影响的研究。

机译：碳化硅基体中硅纳米晶的快速热退火和结晶机理研究

机译：PF + 5未置位离子注入和快速热退火处理的Polyx多晶硅太阳能电池

机译：具有sIpOs（半绝缘多晶硅）异质结发射极和离子注入快速热退火基区的高频硅双极晶体管

机译：垂直半导体功率晶体管的制造方法，其衬底区中的源-体区是通过离子注入并随后进行快速热退火而形成的

机译：通过使用多个离子注入序列来减少晶体缺陷并允许降低用于后续快速热退火过程的温度的半导体器件的形成方法

机译：场辅助快速热退火法形成多晶硅薄膜