硅中高剂量锗离子注入的快速热退火研究

罗益民; 陈振华; 黄培云

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报道了利用高剂量Ge+注入制备SiGe/Si异质结的工作.100keV、5.3×1016/cm2/cm2 Ge+注入(001)SIMOX膜中,峰值Ge+浓度接近20%.样品在不同温度下进行不同时间的快速热退火,X射线衍射分析和背散射沟道谱研究表明:1000°C退火0.5h,退火效果较好;退火时间过短或过长,退火温度过高或过低,都将影响退火效果.

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来源
《材料导报》 |2004年第7期|101-103|共3页
作者
罗益民; 陈振华; 黄培云;
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作者单位

中南大学物理科学与技术学院,长沙,410083;

湖南大学材料科学学院,长沙,410082;

中南大学粉末冶金研究院,长沙,410083;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类掺杂;
关键词
锗离子注人 SiGe/Si异质结快速热退火;

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