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许向东; 郭福隆; 周卫; 张兆健; 鲁勇; 张伟; 刘志弘; 钱佩信;
中国电子学会;
驰豫锗硅; 超高真空化学气相沉积; 离子注入;
机译:低能硅离子注入在单晶锗衬底中合成硅锗层状结构
机译:锗含量对离子注入过程中硅锗合金非晶化的影响
机译:锗含量和应变对离子注入硅/锗中扩展缺陷形成的影响
机译:锗和锰离子注入不同锗浓度的硅锗合金的研究
机译:支撑刚度对输电线路驰豫幅度的影响分析(有限元,模拟,动力学)
机译:验尸MR血管造影(PMMRA)中粘度驰豫时间(T1T2)和潜在灌注液的模拟对比度的温度依赖性
机译:蒙特卡罗模拟重物(铟和锗)离子注入硅
机译:锗和锗硅合金离子注入和扩散光电探测器的特性
机译:液化天然气(LNG)厂的驰豫气管线从驰豫鼓延伸到驰豫气单元,与天然气液化厂隔离,将驰豫气传导到驰豫气单元
机译:在硅层/硅锗层/硅层的层积结构中仅用离子注入法选择性地形成硅锗层的方法,而无需在顶层和底部层中形成图案,仅选择性地形成硅锗层
机译:高锗浓度形成硅锗应力的方法,该方法能够通过实施热扩散过程而由第二硅锗层形成硅锗应力
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