硅基锗硅驰豫衬底的外延生长

陈城钊; 李云; 邱胜桦; 刘翠青

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硅基锗硅驰豫衬底的外延生长

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cqvip:应用低温缓冲层的方法,采用超高真空化学汽相淀积法(UHV/CVD)在硅(100)衬底上外延出应变弛豫的低位错密度的锗硅(SiGe)薄膜,分别采用利用X射线双晶衍射和拉曼光谱仪、原子力显微镜和化学腐蚀位错坑等方法,对薄膜进行分析检测.结果表明,在300 oc低温时Ge量子点缓冲层上生长的SiGe外延层厚度仅为380 nm,弛豫度已达99%,位错密度低于1×10^5 cm^-2,表面无Cross-hatch形貌,表面且粗糙度小于2 nm.

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来源
《材料研究与应用》 |2020年第1期|9-13|共5页
作者
陈城钊; 李云; 邱胜桦; 刘翠青;
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作者单位

韩山师范学院物理与电子工程学院广东潮州 521041;

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正文语种 chi
中图分类 TN304.054;
关键词
硅基锗硅薄膜; 驰豫衬底; 外延生长;

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