108型运算放大器总剂量辐照能力的工艺研究

宋钦岐

首页> 中文期刊> 《微电子学与计算机》 >108型运算放大器总剂量辐照能力的工艺研究

108型运算放大器总剂量辐照能力的工艺研究

开具论文收录证明 >>

文献代查 >>

页面导航

摘要
著录项
相似文献
相关主题

摘要

报导了一种108型运算放大器制备过程的分析和工艺研究。从该放大器总剂量辐照特性分析指出,改进大量生产器件的标准工艺,可以提高它们的抗总剂量能力。从损伤机理分析表明,运算放大器临界的损伤模型主要是由于超β晶体管增益的衰减和漏电流的增加。选择了基本制备工序用MOS 电容的方法分析工艺流程,随后,研究了108型运算放大器抗辐照特性的专门工艺步骤。估价了放大器,晶体管试验器件和MOS 电容的抗辐照能力。而重点被放在后工艺上。应用规定的工艺能够制备抗辐照的运算放大器,而在10?拉德（硅）的剂量下衰减很小。对于加固器件,可以放宽原108型器件的一些参数特性。

著录项

来源
《微电子学与计算机》 |1978年第4期||共页
作者
宋钦岐;
展开▼
作者单位

展开▼
原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类
关键词

相似文献

中文文献
外文文献
专利

1. 国产工艺的部分耗尽SOI PMOSFET总剂量辐照及退火效应研究 [J] . 崔江维 ,余学峰 ,刘刚 . 原子能科学技术 . 2010,第11期
2. 辐照加固SRAM型FPGA总剂量辐射效应研究 [J] . 刘士全 ,季振凯 . 电子与封装 . 2012,第7期
3. 国产工艺的部分耗尽SOI MOSFET总剂量辐照效应及可靠性 [J] . 崔江维 ,余学峰 ,刘刚 . 原子能科学技术 . 2010,第10期
4. NMOS晶体管高剂量率下总剂量辐照特性研究 [J] . 李冬梅 ,王志华 ,皇甫丽英 . 电子器件 . 2007,第3期
5. γ射线总剂量辐照对单轴应变Si内米n型金属氧化物半导体场效应晶体管栅隧穿电流的影响 [J] . 郝敏如 ,胡辉勇 ,廖晨光 . 物理学报 . 2017,第7期
6. 电子元器件总剂量辐照在线测试系统及其在CMOS电路总剂辐照和快速退火效应研究中的应用 [C] . 余学峰 . 全国计算机在现代科学技术领域应用学术会议 . 1997
7. 65nm工艺下MOSFET的总剂量辐照效应及加固研究 [A] . 张丹 . 2015

108型运算放大器总剂量辐照能力的工艺研究

摘要

著录项

相似文献

相关主题

期刊订阅