N沟增强/耗尽型MAOS/MNOS集成电路的设计和特性

刘鹿生; 颜学能

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N沟增强/耗尽型MAOS/MNOS集成电路的设计和特性

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采用MAOS/MNOS双介质栅制备N沟增强/耗尽型集成电路。文中阐述了设计考虑,工艺流程,给出了管芯、门电路、触发器和四位运算器样品的测量结果。电路只用单一的+5～+7伏电源,与晶体管-晶体管逻辑电路相容。用电路功能相同的R-S触发器作比较,N沟增强/耗尽型的性能指标-平均传输时间延迟x功耗比P沟增强/增强型提高30倍左右。四位运算器的进位链每位平均传输延时为30毫微秒。

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来源
《微电子学与计算机》 |1976年第2期|1-15|共15页
作者
刘鹿生; 颜学能;
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