带有SiO2-Si3N4栅绝缘层的低漏泄电流n沟、P沟硅栅FET

胡天籁

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用300埃SiO2-300埃Si3N4绝缘栅制造了n沟、p沟硅栅FET （场效应晶体管）。这些器件具有低的漏泄电流和适用于动态FET存贮器。由于使用了n型或p型掺杂的多晶硅场屏蔽,故才实现很低的n沟漏泄电流。单管动态存贮单元有长的平均保存时间:n沟单元为158秒,p沟单元为34秒。为了防止在偏置温度应力下Vt漂移大,必须在氧气或水汽气氛中进行Si3N4退火。

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来源
《微电子学与计算机》 |1976年第2期|59-69|共11页
作者
胡天籁;
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