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International Symposium on Power Semiconductor Devices and IC s
International Symposium on Power Semiconductor Devices and IC s
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1.
An IGBT gate driver IC with collector current sensing
机译:
具有电流检测的IGBT栅极驱动IC
作者:
J. Chen
;
W. Zhang
;
A. Shorten
;
J. Yu
;
W.T. Ng
;
M. Sasaki
;
T. Kawashima
;
H. Nishio
会议名称:
《International Symposium on Power Semiconductor Devices and IC s》
|
2017年
关键词:
driver circuits;
electric current measurement;
insulated gate bipolar transistors;
2.
Novel LDMOS with assisted deplete-substrate layer consist of super junction under the drain
机译:
具有辅助耗尽衬底层的新型LDMOS由排水管下的超结块组成
作者:
Song Yuan
;
Baoxing Duan
;
Hai Cai
;
Zhen Cao
;
Yintang Yang
会议名称:
《International Symposium on Power Semiconductor Devices and IC s》
|
2017年
关键词:
Hafnium;
3.
Investigation of a latch-up immune silicon controlled rectifier for robust ESD application
机译:
用于鲁棒ESD应用的闩锁免疫控制整流器的研究
作者:
Zhao Qi
;
Ming Qiao
;
Xin Zhou
;
Wen Yang
;
Dong Fang
;
Shikang Cheng
;
Sen Zhang
;
Zhaoji Li
;
Bo Zhang
会议名称:
《International Symposium on Power Semiconductor Devices and IC s》
|
2017年
关键词:
current distribution;
electrostatic discharge;
thyristors;
4.
Suppression of charge accumulation on termination area of 4H-SiC power devices
机译:
4H-SIC电源装置终止面积上的电荷累积抑制
作者:
Hiroyuki Matsushima
;
Renichi Yamada
;
Akio Shima
会议名称:
《International Symposium on Power Semiconductor Devices and IC s》
|
2017年
关键词:
Zirconium;
5.
Improving the die utilization and lifetime in a multi-die SiC power module by means of integrated per-die gate buffers
机译:
通过集成的每个模具门缓冲器提高多模SIC电源模块中的模具利用率和寿命
作者:
J. Ewanchuk
;
J. Brandelero
;
S. Mollov
会议名称:
《International Symposium on Power Semiconductor Devices and IC s》
|
2017年
关键词:
integrated circuit layout;
power integrated circuits;
thermal management (packaging);
6.
A high-performance GaN E-mode reverse blocking MISHEMT with MIS field effect drain for bidirectional switch
机译:
具有用于双向开关的MIS场效应流量的高性能GaN E模式反向阻止Mishemt
作者:
Yijun Shi
;
Wanjun Chen
;
Chao Liu
;
Guanhao Hu
;
Jie Liu
;
Xingtao Cui
;
Hong Tao
;
Jinhan Zhang
;
Yuanyuan Shi
;
Anhang Zhang
;
Zhaoji Li
;
Qi Zhou
;
Bo Zhang
会议名称:
《International Symposium on Power Semiconductor Devices and IC s》
|
2017年
关键词:
field effect transistor switches;
gallium compounds;
III-V semiconductors;
MIS devices;
wide band gap semiconductors;
7.
New calorimetrie power transistor soft-switching loss measurement based on accurate temperature rise monitoring
机译:
基于精确温度升高监测的新型热电缆电力晶体管软开关测量
作者:
D. Neumayr
;
M. Guacci
;
D. Bortis
;
J. W. Kolar
会议名称:
《International Symposium on Power Semiconductor Devices and IC s》
|
2017年
关键词:
Temperature measurement;
Loss measurement;
Heat sinks;
Semiconductor device measurement;
Power measurement;
Logic gates;
Aluminum;
8.
High-voltage diode robustness during short-circuit type III
机译:
短路型III期间的高压二极管鲁棒性
作者:
Jan Fuhrmann
;
David Hammes
;
Hans-Guenter Eckel
会议名称:
《International Symposium on Power Semiconductor Devices and IC s》
|
2017年
关键词:
Semiconductor diodes;
Current measurement;
Cathodes;
Insulated gate bipolar transistors;
Voltage measurement;
Semiconductor device measurement;
Anodes;
9.
Advanced RFC diode utilizing a novel vertical structure for soilness and high dynamic ruggedness
机译:
高级RFC二极管利用用于污垢和高动态坚固性的新型垂直结构
作者:
Katsumi Nakamura
;
Kazuhiro Shimizu
会议名称:
《International Symposium on Power Semiconductor Devices and IC s》
|
2017年
关键词:
cathodes;
semiconductor diodes;
10.
Short-circuit capability in p-GaN HEMTs and GaN MISHEMTs
机译:
P-GaN Hemts和Gan Mishemts的短路能力
作者:
M. Fernández
;
X. Perpi?á
;
M. Vellvehi
;
X. Jordà
;
J. Roig
;
F. Bauwens
;
M. Tack
会议名称:
《International Symposium on Power Semiconductor Devices and IC s》
|
2017年
关键词:
HEMTs;
MODFETs;
Gallium nitride;
11.
Conductivity modulation in the channel inversion layer of very narrow mesa IGBT
机译:
非常窄的MESA IGBT的信道反转层中的电导率调制
作者:
Masahiro Tanaka
;
Akio Nakagawa
会议名称:
《International Symposium on Power Semiconductor Devices and IC s》
|
2017年
关键词:
insulated gate bipolar transistors;
inversion layers;
MOSFET;
short-circuit currents;
12.
A novel contact field plate application in drain-extended-MOSFET transistors
机译:
漏极延伸MOSFET晶体管中的一种新型接触现场板应用
作者:
Lin Wei
;
Cheng Chao
;
Upinder Singh
;
Ruchil Jain
;
Li Leng Goh
;
Purakh Raj Verma
会议名称:
《International Symposium on Power Semiconductor Devices and IC s》
|
2017年
关键词:
electric breakdown;
hot carriers;
MOSFET;
13.
Power cycling capability of high power IGBT modules with focus on short load pulse duration
机译:
高功率IGBT模块的功率循环能力,重点关注短负载脉冲持续时间
作者:
Guang Zeng
;
Yijun Ye
;
JosefLutz
;
Rodrigo Alvarez
;
Pablo Correa
会议名称:
《International Symposium on Power Semiconductor Devices and IC s》
|
2017年
关键词:
insulated gate bipolar transistors;
power bipolar transistors;
semiconductor device testing;
14.
Robust 3.3kV silicon carbide MOSFETs with surge and short circuit capability
机译:
具有浪涌和短路能力的强大3.3kV碳化硅MOSFET
作者:
L. Knoll
;
A. Mihaila
;
F. Bauer
;
V. Sundaramoorthy
;
E. Bianda
;
R. Minamisawa
;
L. Kranz
;
M. Bellini
;
U. Vemulapati
;
H. Bartolf
;
S. Kicin
;
S. Skibin
;
C. Papadopoulos
;
M. Rahimo
会议名称:
《International Symposium on Power Semiconductor Devices and IC s》
|
2017年
关键词:
MOSFET;
semiconductor device models;
short-circuit currents;
silicon compounds;
wide band gap semiconductors;
15.
High aspect ratio deep trench termination (HARDT) technique surrounding die edge as dielectric wall to improve high voltage device area efficiency
机译:
高纵横比深沟槽终端(硬质)技术围绕模刃作为介电壁,提高高压装置面积效率
作者:
Takuya Yamaguchi
;
Hideki Okumura
;
Tatsuya Shiraishi
;
Tsuyoshi Fujita
;
Yoshifumi Ata
;
Kenya Kobayashi
会议名称:
《International Symposium on Power Semiconductor Devices and IC s》
|
2017年
关键词:
dielectric materials;
electric fields;
passivation;
power MOSFET;
16.
A new SiC diode with significantly reduced threshold voltage
机译:
一种新的SiC二极管,具有显着降低的阈值电压
作者:
Roland Rupp
;
Rudolf Elpelt
;
Rolf Gerlach
;
Reinhold Sch?mer
;
Mihai Draghici
会议名称:
《International Symposium on Power Semiconductor Devices and IC s》
|
2017年
关键词:
molybdenum;
Schottky barriers;
Schottky diodes;
silicon compounds;
wide band gap semiconductors;
17.
A novel Injection Enhanced Floating Emitter (IEFE) IGBT structure improving the ruggedness against short-circuit and thermal destruction
机译:
一种新型注射增强的浮动发射器(IEFE)IGBT结构改善了抗短路和热破坏的粗糙度
作者:
Riteshkumar Bhojani
;
Josef Lutz
;
Roman Baburske
;
Hans-Joachim Schulze
;
Franz-Josef Niedemostheide
会议名称:
《International Symposium on Power Semiconductor Devices and IC s》
|
2017年
关键词:
insulated gate bipolar transistors;
leakage currents;
short-circuit currents;
18.
Pulse robustness of AlGaN/GaN HEMTs with Schottky- and MIS-gates
机译:
肖特基和误区AlGaN / GaN Hemts的脉冲鲁棒性
作者:
Christian Unger
;
Manuela Mocanu
;
Martin Pfost
;
Patrick Waltereit
;
Richard Reiner
会议名称:
《International Symposium on Power Semiconductor Devices and IC s》
|
2017年
关键词:
Temperature measurement;
Logic gates;
Current measurement;
Leakage currents;
Transient analysis;
Pulse measurements;
Temperature;
19.
Characterization of X-ray radiation hardness of diamond Schottky barrier diode and metal-semiconductor field-effect transistor
机译:
金刚石肖特基势垒二极管和金属半导体场效应晶体管X射线辐射硬度的表征
作者:
Hitoshi Umezawa
;
Shinya Ohmagari
;
Yoshiaki Mokuno
;
Junichi H. Kaneko
会议名称:
《International Symposium on Power Semiconductor Devices and IC s》
|
2017年
关键词:
diamond;
leakage currents;
radiation hardening (electronics);
Schottky barriers;
Schottky diodes;
Schottky gate field effect transistors;
semiconductor device breakdown;
20.
Stacked resin structure for reducing warpage of transfer-molded modules
机译:
用于减少转印模块翘曲的堆叠树脂结构
作者:
Seita Iwahashi
;
Takukazu Otsuka
;
Takashi Nakamura
会议名称:
《International Symposium on Power Semiconductor Devices and IC s》
|
2017年
关键词:
ceramics;
moulding;
resins;
thermal expansion;
21.
Novel emitter controlled diode with copper metallization in ultrathin wafer technology: Setting a performance benchmark
机译:
超薄晶片技术中具有铜金属化的新型发射器控制二极管:设置性能基准
作者:
F. J. Santos Rodriguez
;
D. Schloegl
;
F. Hille
;
P.C. Brandt
;
M. Pfaffenlehner
;
A.R. Stegner
;
A. Haertl
会议名称:
《International Symposium on Power Semiconductor Devices and IC s》
|
2017年
关键词:
copper;
semiconductor device metallisation;
semiconductor diodes;
22.
Experimental investigation of SiC 6.5kV JBS diodes safe operating area
机译:
SIC 6.5kV JBS二极管安全运行区的实验研究
作者:
A. Mihaila
;
E. Bianda
;
L. Knoll
;
U. Vemulapati
;
L. Kranz
;
G. Alfieri
;
V. Soler
;
P. Godignon
;
C. Papadopoulos
;
M. Rahimo
会议名称:
《International Symposium on Power Semiconductor Devices and IC s》
|
2017年
关键词:
insulated gate bipolar transistors;
power semiconductor diodes;
23.
Highly reliable high-temperature superplastic Al-Zn eutectoid solder joining with stress relaxation characteristics for next generation SiC power semiconductor devices
机译:
高度可靠的高温超塑性Al-Zn eutectoid焊料与下一代SiC功率半导体器件的应力松弛特性连接
作者:
Jin Onuki
;
Akio Chiba
;
Mitsuo Kawakami
;
Kunihiro Tamahashi
;
Yoshitaka Sugawara
;
Takashi Inami
;
Mamoru Kobiyama
;
Yoshinobu Motohashi
;
Yuji Kawamata
会议名称:
《International Symposium on Power Semiconductor Devices and IC s》
|
2017年
关键词:
aluminium alloys;
eutectic alloys;
power semiconductor devices;
semiconductor device reliability;
silicon compounds;
solders;
superplasticity;
wide band gap semiconductors;
zinc alloys;
24.
TCAD analysis of short-circuit oscillations in IGBTs
机译:
IGBT中短路振荡的TCAD分析
作者:
Paula Diaz Reigosa
;
Francesco Iannuzzo
;
Munaf Rahimo
会议名称:
《International Symposium on Power Semiconductor Devices and IC s》
|
2017年
关键词:
Insulated gate bipolar transistors;
Oscillators;
Logic gates;
Capacitance;
Integrated circuit modeling;
Shape;
Temperature;
25.
Pressure contact multi-chip packaging of SiC Schottky diodes
机译:
压力接触SiC肖特基二极管的多芯片包装
作者:
Jose Ortiz Gonzalez
;
Olayiwola Alatise
;
Philip Mawby
;
Attahir M. Aliyu
;
Alberto Castellazzi
会议名称:
《International Symposium on Power Semiconductor Devices and IC s》
|
2017年
关键词:
multichip modules;
Schottky diodes;
semiconductor device packaging;
semiconductor device reliability;
silicon compounds;
wide band gap semiconductors;
26.
Investigation of current collapse mechanism of LPCVD Si3N4 passivated AlGaN/GaN HEMTs by fast soft-switched current-DLTS and CC-DLTFS
机译:
通过快速开关电流 - DLTS和CC-DLTFS的LPCVD Si3N4电流塌陷机制的研究钝化AlGaN / GaN HEMTS
作者:
Xinhua Wang
;
Xuanwu Kang
;
Jinhan Zhang
;
Ke Wei
;
Sen Huang
;
Xinyu Liu
会议名称:
《International Symposium on Power Semiconductor Devices and IC s》
|
2017年
关键词:
aluminium compounds;
chemical vapour deposition;
gallium compounds;
high electron mobility transistors;
III-V semiconductors;
passivation;
silicon compounds;
wide band gap semiconductors;
27.
The future vision of industrial robot
机译:
工业机器人的未来愿景
作者:
Kenichi Yasuda
会议名称:
《International Symposium on Power Semiconductor Devices and IC s》
|
2017年
关键词:
industrial robots;
28.
A new ESD self-protection structure for 700V high side gate drive IC
机译:
700V高侧栅极驱动IC的新型ESD自保护结构
作者:
Sunglyong Kim
;
David LaFonteese
;
Danyang Zhu
;
Danyang Seetharaman Sridhar
;
Sameer Pendharkar
;
Hiromi Endoh
;
Katsushi Boku
会议名称:
《International Symposium on Power Semiconductor Devices and IC s》
|
2017年
关键词:
driver circuits;
electrostatic discharge;
MOSFET;
29.
HBM robustness optimization of fully isolated Nch-LDMOS for negative input voltage using unique index parameter
机译:
HBM鲁棒性优化完全隔离的NCH-LDMOS,用于使用唯一索引参数的负输入电压
作者:
Fumio Takeuchi
;
Hirofumi Nagano
;
Toshihiro Sakamoto
;
Koji Kimura
;
Fumitomo Matsuoka
会议名称:
《International Symposium on Power Semiconductor Devices and IC s》
|
2017年
关键词:
electric fields;
MOS integrated circuits;
optimisation;
robust control;
stability;
30.
Riddle and Bond Silicon on Insulator (RABSOI)
机译:
绝缘体上的谜语和粘合硅(Rabsoi)
作者:
Radim Spetik
;
Filip Kudrna
;
Lukas Valek
会议名称:
《International Symposium on Power Semiconductor Devices and IC s》
|
2017年
关键词:
Silicon-on-insulator;
Substrates;
Wafer bonding;
Resistance;
Plugs;
Surface treatment;
31.
A new sub-micron trench cell concept in ultrathin wafer technology for next generation 1200 V IGBTs
机译:
用于下一代1200 V IGBT的超薄晶片技术中的新亚微米沟槽概念
作者:
Christian Jaeger
;
Alexander Philippou
;
Antonio Ve Ilei
;
Johannes G. Laven
;
Andreas H?rtl
会议名称:
《International Symposium on Power Semiconductor Devices and IC s》
|
2017年
关键词:
insulated gate bipolar transistors;
isolation technology;
power semiconductor devices;
32.
Modeling of time dependent breakdown voltage degradation in Trench Field Plate Power MOSFET
机译:
沟槽场板功率MOSFET中依赖于时间依赖性击穿电压劣化的建模
作者:
Tatsuya Nishiwaki
;
Kenya Kobayashi
;
Yusuke Kawaguchi
会议名称:
《International Symposium on Power Semiconductor Devices and IC s》
|
2017年
关键词:
hydrogen;
isolation technology;
power MOSFET;
semiconductor device breakdown;
silicon;
technology CAD (electronics);
33.
Switching characteristics of monolithically integrated Si-GaN cascoded rectifiers
机译:
单片集成Si-GaN级联整流器的切换特性
作者:
Jie Ren
;
Chao Liu
;
Chak Wah Tang
;
Kei May Lau
;
Johnny K. O. Sin
会议名称:
《International Symposium on Power Semiconductor Devices and IC s》
|
2017年
关键词:
gallium compounds;
rectifiers;
silicon;
34.
An advanced bimode insulated gate transistor BIGT with low diode conduction losses under a positive gate bias
机译:
一个高级Bimode绝缘栅极晶体管,正栅极偏压下具有低二极管传导损耗
作者:
Munaf Rahimo
;
Charalampos Papadopoulos
;
Chiara Corvasce
;
Amost Kopta
会议名称:
《International Symposium on Power Semiconductor Devices and IC s》
|
2017年
关键词:
insulated gate bipolar transistors;
semiconductor diodes;
35.
Experimental study of the short-circuit performance for a 600V normally-off p-gate GaN HEMT
机译:
600V常关P栅极GaN HEMT短路性能的实验研究
作者:
Thorsten Oeder
;
Alberto Castellazzi
;
Martin Pfost
会议名称:
《International Symposium on Power Semiconductor Devices and IC s》
|
2017年
关键词:
Logic gates;
HEMTs;
Gallium nitride;
Robustness;
Power dissipation;
Power electronics;
MODFETs;
36.
A new characterization technique for extracting parasitic inductances of fast switching power MOSFETs using two-port vector network analyzer
机译:
使用双端口向量网络分析仪提取快速开关功率MOSFET的寄生电感的新表征技术
作者:
Tianjiao Liu
;
Runtao Ning
;
Thomas T. Y. Wong
;
Z. John Shen
会议名称:
《International Symposium on Power Semiconductor Devices and IC s》
|
2017年
关键词:
Erbium;
37.
Optimal design of SiC MOSFETs for 20kW DCDC converter
机译:
用于20kW DCDC转换器的SIC MOSFET的最佳设计
作者:
Weicheng Zhou
;
Shu Yang
;
Xinke Wu
;
Kuang Sheng
会议名称:
《International Symposium on Power Semiconductor Devices and IC s》
|
2017年
关键词:
DC-DC power convertors;
insulated gate bipolar transistors;
MOSFET;
optimisation;
power electronics;
silicon;
silicon compounds;
wide band gap semiconductors;
38.
Power electronics as the enabling technology for sustainable energy in the smart city
机译:
电力电子作为智能城市可持续能源的启用技术
作者:
Johan Driesen
会议名称:
《International Symposium on Power Semiconductor Devices and IC s》
|
2017年
关键词:
Urban areas;
Buildings;
Power electronics;
Energy efficiency;
Lighting;
Market research;
Resistance heating;
39.
6.5 kV schottky-barrier-diode-embedded SiC-MOSFET for compact full-unipolar module
机译:
6.5 KV肖特基 - 屏障 - 二极管嵌入式SIC-MOSFET,用于紧凑型全单极模块
作者:
Koutarou Kawahara
;
Shiro Hino
;
Koji Sadamatsu
;
Yukiyasu Nakao
;
Yusuke Yamashiro
;
Yasuki Yamamoto
;
Toshiaki Iwamatsu
;
Shuhei Nakata
;
Shingo Tomohisa
;
Satoshi Yamakawa
会议名称:
《International Symposium on Power Semiconductor Devices and IC s》
|
2017年
关键词:
Xenon;
TV;
40.
Current distribution based power module screening by new normal/abnormal classification method with image processing
机译:
基于电流分布的功率模块筛选通过图像处理的新正常/异常分类方法
作者:
Masanori Tsukuda
;
Daisuke Yuki
;
Hiroki Tomonaga
;
Hyoungseop Kim
;
Ichiro Omura
会议名称:
《International Symposium on Power Semiconductor Devices and IC s》
|
2017年
关键词:
image classification;
inspection;
insulated gate bipolar transistors;
power electronics;
test equipment;
41.
180nm HVIC technology for digital AC/DC power conversion
机译:
180NM用于数字交流/直流电源转换的HVIC技术
作者:
Don Disney
;
Wen-Cheng Lin
;
XiaoXin Liu
;
Swapnil Pandey
;
Jongjib Kim
会议名称:
《International Symposium on Power Semiconductor Devices and IC s》
|
2017年
关键词:
AC-DC power convertors;
CMOS digital integrated circuits;
isolation technology;
power integrated circuits;
42.
RFC diode with high avalanche stability and UIS capability
机译:
RFC二极管具有高雪崩稳定性和UIS能力
作者:
Fumihito Masuoka
;
Koji Tanaka
;
Takao Kachi
;
Yasuhiro Yoshiura
;
Kazuhiro Shimizu
会议名称:
《International Symposium on Power Semiconductor Devices and IC s》
|
2017年
关键词:
avalanche diodes;
carrier density;
failure analysis;
semiconductor device reliability;
semiconductor diodes;
43.
Relation between UIS withstanding capability and gate leakage currents for high voltage GaN-HEMTs
机译:
UIS与高压GaN-HEMTS的能力与栅极漏电流的关系
作者:
Toshiyuki Naka
;
Wataru Saito
会议名称:
《International Symposium on Power Semiconductor Devices and IC s》
|
2017年
关键词:
crystal defects;
gallium compounds;
high electron mobility transistors;
III-V semiconductors;
leakage currents;
wide band gap semiconductors;
44.
Reliability-aware design of metal/high-k gate stack for high-performance SiC power MOSFET
机译:
用于高性能SIC电源MOSFET的金属/高k门堆的可靠性感知设计
作者:
Takuji Hosoi
;
Shuji Azumo
;
Yusaku Kashiwagi
;
Shigetoshi Hosaka
;
Kenji Yamamoto
;
Masatoshi Aketa
;
Hirokazu Asahara
;
Takashi Nakamura
;
Tsunenobu Kimoto
;
Takayoshi Shimura
;
Heiji Watanabe
会议名称:
《International Symposium on Power Semiconductor Devices and IC s》
|
2017年
关键词:
aluminium compounds;
electrodes;
hafnium compounds;
negative bias temperature instability;
permittivity;
power MOSFET;
semiconductor device reliability;
silicon compounds;
titanium compounds;
wide band gap semiconductors;
45.
Highly rugged 1200 V 80 mQ 4-H SiC power MOSFET
机译:
高度坚固的1200 V 80 MQ 4-H SIC电源MOSFET
作者:
In-Hwan Ji
;
Amaury Gendron-Hansen
;
Mingyu Lee
;
Ed Maxwell
;
Bruce Odekirk
;
Dumitru Sdrulla
;
Changsoo Hong
;
Avinash S. Kashyap
;
Faheem Faheem
会议名称:
《International Symposium on Power Semiconductor Devices and IC s》
|
2017年
关键词:
electric fields;
impact ionisation;
power MOSFET;
silicon compounds;
technology CAD (electronics);
46.
Influence of gate bias on the avalanche ruggedness of SiC power MOSFETs
机译:
栅极偏置对SiC电源MOSFET雪崩坚固性的影响
作者:
A. Fayyaz
;
A. Castellazzi
;
G. Romano
;
M. Riccio
;
A. Irace
;
J. Urresti
;
N. Wright
会议名称:
《International Symposium on Power Semiconductor Devices and IC s》
|
2017年
关键词:
avalanche breakdown;
power MOSFET;
silicon compounds;
snubbers;
wide band gap semiconductors;
47.
Dielectric RESURF as an alternative to shield RESURF for an improved and easy-to-manufacture low voltage trench MOSFETs
机译:
电介质RESURF作为屏蔽RESURF的替代品,用于改进且易于制造的低压沟槽MOSFET
作者:
Zia Hossain
;
Gourab Sabui
;
Z. John Shen
会议名称:
《International Symposium on Power Semiconductor Devices and IC s》
|
2017年
关键词:
isolation technology;
low-power electronics;
power MOSFET;
48.
Reliability assessment of a large population of 3.3 kV, 45 A 4H-SIC MOSFETs
机译:
可靠性评估大于3.3 kV,45个4H-SIC MOSFET
作者:
Edward Van Brunt
;
Daniel J. Lichtenwalner
;
Robert Leonard
;
Al Burk
;
Shadi Sabri
;
Brett Hull
;
Scott Allen
;
John W. Palmour
会议名称:
《International Symposium on Power Semiconductor Devices and IC s》
|
2017年
关键词:
epitaxial layers;
MOS capacitors;
power MOSFET;
semiconductor device reliability;
silicon compounds;
surface morphology;
wide band gap semiconductors;
49.
Prominent interface structure and bonding material of power module for high temperature operation
机译:
高温操作电源模块的突出界面结构和粘接材料
作者:
Kazuhiko Sugiura
;
Tomohito Iwashige
;
Jun Kawai
;
Kazuhiro Tsuruta
;
Chuantong Chen
;
Shijo Nagao
;
Hao Zhang
;
Tohru Sugahara
;
Katsuaki Suganuma
;
Seigo Kurosaka
;
Yuichi Sakuma
;
Yukinori Oda
会议名称:
《International Symposium on Power Semiconductor Devices and IC s》
|
2017年
关键词:
bonding processes;
electronics packaging;
metallisation;
microassembling;
power electronics;
silver;
sintering;
50.
Dependence of switching waveform on charge imbalance in superjunction MOSFET used in inductive load circuit
机译:
电感负载电路超结MOSFET中电荷不平衡的切换波形的依赖性
作者:
Daisuke Arai
;
Shigeru Hisada
;
Mizue Yamaji
;
Shinji Kunori
会议名称:
《International Symposium on Power Semiconductor Devices and IC s》
|
2017年
关键词:
power factor correction;
power MOSFET;
semiconductor device manufacture;
silicon;
51.
Highly reliable GaN MOS-HFET with high short-circuit capability
机译:
具有高短路能力的高度可靠的GaN MOS-HFET
作者:
Youngshin Eum
;
Kazuhiro Oyama
;
Nobuyuki Otake
;
Shinichi Hoshi
会议名称:
《International Symposium on Power Semiconductor Devices and IC s》
|
2017年
关键词:
gallium compounds;
high electron mobility transistors;
III-V semiconductors;
junction gate field effect transistors;
wide band gap semiconductors;
52.
A 90nm bulk BiCDMOS platform technology with 15–80V LD-MOSFETs for automotive applications
机译:
具有15-80V LD-MOSFET的90nm Bulk BICDMOS平台技术,用于汽车应用
作者:
Hiroki Fujii
;
Shigeo Tokumitsu
;
Takahiro Mori
;
Tomohiro Yamashita
;
Takahiro Maruyama
;
Takuya Maruyama
;
Yoshiki Maruyama
;
Shigeki Nishimoto
;
Hiroyuki Arie
;
Shunji Kubo
;
Takashi Ipposhi
会议名称:
《International Symposium on Power Semiconductor Devices and IC s》
|
2017年
关键词:
automotive electronics;
isolation technology;
MOSFET;
thermal management (packaging);
53.
A novel hybrid power module with dual side-gate HiGT and SiC-SBD
机译:
具有双侧栅极HIGT和SIC-SBD的新型混合动力模块
作者:
Y. Takeuchi
;
T. Miyoshi
;
T. Furukawa
;
M. Shiraishi
;
M. Mori
会议名称:
《International Symposium on Power Semiconductor Devices and IC s》
|
2017年
关键词:
insulated gate bipolar transistors;
power bipolar transistors;
power semiconductor diodes;
Schottky barriers;
Schottky diodes;
silicon compounds;
wide band gap semiconductors;
54.
Novel superjunction LDMOS with multi-floating buried layers
机译:
新型超连通LDMOS,具有多浮埋层
作者:
Zhen Cao
;
Baoxing Duan
;
Song Yuan
;
Haijun Guo
;
Jianmei Lv
;
Tongtong Shi
;
Yintang Yang
会议名称:
《International Symposium on Power Semiconductor Devices and IC s》
|
2017年
关键词:
Substrates;
Junctions;
MOSFET;
Silicon on sapphire;
55.
Physics of current limited failures during avalanche for 600V Fast Recovery Diodes
机译:
雪崩期间的电流有限故障的物理到600V快速恢复二极管
作者:
L. Maresca
;
M. Riccio
;
P. Mirone
;
G. Romano
;
G. Breglio
;
A. Irace
会议名称:
《International Symposium on Power Semiconductor Devices and IC s》
|
2017年
关键词:
failure analysis;
semiconductor diodes;
56.
Direct photo emission monitoring for analysis of IGBT destruction mechanism using streak camera
机译:
使用条纹相机分析IGBT破坏机制的直接照片排放监测
作者:
Tomoko Matsudai
;
Koichi Endo
;
Tsuneo Ogura
;
Toru Matsumoto
;
Koro Uchiyama
;
Fuminori Niikura
;
Kazushige Koshikawa
会议名称:
《International Symposium on Power Semiconductor Devices and IC s》
|
2017年
关键词:
insulated gate bipolar transistors;
photoemission;
power bipolar transistors;
streak cameras;
57.
A1W power consumption GaN-based isolated gate driver for a 1.0 MHz GaN power system
机译:
用于1.0 MHz GaN电力系统的A1W功耗GaN的隔离栅极驱动器
作者:
Songbek Che
;
Shuichi Nagai
;
Noboru Negoro
;
Yasufumi Kawai
;
Osamu Tabata
;
Shingo Enomoto
;
Yoshiharu Anda
;
Tsuguyasu Hatsuda
会议名称:
《International Symposium on Power Semiconductor Devices and IC s》
|
2017年
关键词:
driver circuits;
gallium compounds;
III-V semiconductors;
power HEMT;
58.
SiC MOSFET with built-in SBD for reduction of reverse recovery charge and switching loss in 10-kV applications
机译:
具有内置SBD的SIC MOSFET,可降低10-kV应用中的反向恢复充电和开关损耗
作者:
Huaping Jiang
;
Jin Wei
;
Xiaoping Dai
;
Changwei Zheng
;
Maolong Ke
;
Xiaochuan Deng
;
Yogesh Sharma
;
Ian Deviny
;
Philip Mawby
会议名称:
《International Symposium on Power Semiconductor Devices and IC s》
|
2017年
关键词:
power MOSFET;
Schottky diodes;
silicon compounds;
technology CAD (electronics);
wide band gap semiconductors;
59.
Study of the electrostatic potential of the floating-p region during the turn-on period of IGBT
机译:
IGBT开启时期浮动P区域的静电电位研究
作者:
Yoshihiro Ikura
;
Yuichi Onozawa
;
Akio Nakagawa
会议名称:
《International Symposium on Power Semiconductor Devices and IC s》
|
2017年
关键词:
insulated gate bipolar transistors;
MOSFET;
technology CAD (electronics);
60.
Impact of substrate termination on dynamic performance of GaN-on-Si lateral power devices
机译:
基材终止对Gan-on-Si横向动力装置动态性能的影响
作者:
Gaofei Tang
;
Jin Wei
;
Zhaofu Zhang
;
Xi Tang
;
Mengyuan Hua
;
Hanxing Wang
;
Kevin J. Chen
会议名称:
《International Symposium on Power Semiconductor Devices and IC s》
|
2017年
关键词:
buffer layers;
electron traps;
elemental semiconductors;
gallium compounds;
III-V semiconductors;
power semiconductor devices;
silicon;
wide band gap semiconductors;
61.
Suppression of self-excited oscillation for common package of Si-IGBT and SiC-MOS
机译:
抑制Si-IGBT和SiC-MOS的共同包装自我激发振荡
作者:
Katsuaki Saito
;
Tomoyuki Miyoshi
;
Daisuke Kawase
;
Seiichi Hayakawa
;
Toru Masuda
;
Yasushi Sasajima
会议名称:
《International Symposium on Power Semiconductor Devices and IC s》
|
2017年
关键词:
Inductance;
62.
High efficiency high reliability SiC MOSFET with monolithically integrated Schottky rectifier
机译:
高效高可靠性SIC MOSFET,具有单片集成的肖特基整流器
作者:
Fu-Jen Hsu
;
Cheng-Tyng Yen
;
Chien-Chung Hung
;
Hsiang-Ting Hung
;
Chwan-Ying Lee
;
Lurng-Shehng Lee
;
Yao-Feng Huang
;
Tzong-Liang Chen
;
Pei-Ju Chuang
会议名称:
《International Symposium on Power Semiconductor Devices and IC s》
|
2017年
关键词:
Silicon carbide;
Schottky diodes;
MOSFET;
Reliability;
Capacitance;
Stress;
Schottky barriers;
63.
Low on-resistance and fast switching of 13-kV SiC MOSFETs with optimized junction field-effect transistor region
机译:
具有优化结场效应晶体管区域的13-kV SiC MOSFET的低电阻和快速切换
作者:
Hidenori Kitai
;
Yasuo Hozumi
;
Hiromu Shiomi
;
Kenji Fukuda
;
Masaki Furumai
会议名称:
《International Symposium on Power Semiconductor Devices and IC s》
|
2017年
关键词:
Erbium;
64.
Fully integrated high voltage high current gate driver for MOSFET-inverters
机译:
用于MOSFET - 逆变器的完全集成的高压高电流栅极驱动器
作者:
Bastian Vogler
;
Reinhard Herzer
;
Markus Dienstbier
;
Sven Buetow
会议名称:
《International Symposium on Power Semiconductor Devices and IC s》
|
2017年
关键词:
choppers (circuits);
driver circuits;
invertors;
MOSFET circuits;
silicon-on-insulator;
65.
Evaluation of drain current decrease by AC gate bias stress in commercially available SiC MOSFETs
机译:
商业上可用SiC MOSFET中的AC栅极偏置应力进行漏极电流的评估
作者:
Mitsuru Sometani
;
Yohei Iwahashi
;
Mitsuo Okamoto
;
Shinsuke Harada
;
Yoshiyuki Yonezawa
;
Hajime Okumura
;
Hiroshi Yano
会议名称:
《International Symposium on Power Semiconductor Devices and IC s》
|
2017年
关键词:
Technological innovation;
Next generation networking;
Power electronics;
66.
A snapback-free RC-IGBT with Alternating N/P buffers
机译:
具有交替的N / P缓冲器的无循环RC-IGBT
作者:
Gaoqiang Deng
;
Xiaorong Luo
;
Kun Zhou
;
Qingyuan He
;
Xinliang Ruan
;
Qing Liu
;
Tao Sun
;
Bo Zhang
会议名称:
《International Symposium on Power Semiconductor Devices and IC s》
|
2017年
关键词:
Silicon;
67.
A new 1200 V-class edge termination structure with trench double field plates for high dV/dt performance
机译:
具有高DV / DT性能的沟槽双场板的新1200V级边缘终端结构
作者:
Wentao Yang
;
Hao Feng
;
Yong Liu
;
Xiangming Fang
;
Yuichi Onozawa
;
Hiroyuki Tanaka
;
Kaname Mitsuzuka
;
Johnny K. O. Sin
会议名称:
《International Symposium on Power Semiconductor Devices and IC s》
|
2017年
关键词:
XML;
68.
Interfacial damage extraction method for SiC power MOSFETs based on C-V characteristics
机译:
基于C-V特性的SiC功率MOSFET的界面损伤方法
作者:
Jiaxing Wei
;
Siyang Liu
;
Ran Ye
;
Xin Chen
;
Haiyang Song
;
Weifeng Sun
;
Wei Su
;
Shulang Ma
;
Yuwei Liu
;
Feng Lin
;
Bo Hou
会议名称:
《International Symposium on Power Semiconductor Devices and IC s》
|
2017年
关键词:
Radio frequency;
Stress;
69.
Best-in-class LDMOS with ultra-shallow trench isolation and p-buried layer from 18V to 40V in 0.18μm BCD technology
机译:
具有超浅沟槽隔离和从18V至40V的P-Biried层的最佳LDMOS在0.18μm的BCD技术中
作者:
Feng Jin
;
Donghua Liu
;
Junjun Xing
;
Xinjie Yang
;
Jiye Yang
;
Wensheng Qian
;
Wei Yue
;
Pengfei Wang
;
Ming Qiao
;
Bo Zhang
会议名称:
《International Symposium on Power Semiconductor Devices and IC s》
|
2017年
关键词:
BIMOS integrated circuits;
buried layers;
isolation technology;
70.
High efficient approach to utilize SiC MOSFET potential in power modules
机译:
高效的方法来利用电源模块中的SiC MOSFET电位
作者:
Igor Kasko
;
Sven E. Berberich
;
Michael Gross
;
Peter Beckedahl
;
Sven Buetow
会议名称:
《International Symposium on Power Semiconductor Devices and IC s》
|
2017年
关键词:
insulated gate bipolar transistors;
modules;
MOSFET;
silicon;
silicon compounds;
wide band gap semiconductors;
71.
Experimental and numerical demonstration and optimized methods for SiC trench MOSFET short-circuit capability
机译:
SiC沟槽MOSFET短路能力的实验和数值演示和优化方法
作者:
Masaki Namai
;
Junjie An
;
Hiroshi Yano
;
Noriyuki Iwamuro
会议名称:
《International Symposium on Power Semiconductor Devices and IC s》
|
2017年
关键词:
failure analysis;
MOSFET;
semiconductor device reliability;
silicon compounds;
wide band gap semiconductors;
72.
PEALD induced interface engineering of AlNO/AlGaN/GaN MIS diode with alternate insertion of AlN in Al2O3
机译:
PEBLD诱导AlnO / AlGaN / GaN MIS二极管的界面工程,Al2O3中的AlN替代插入Aln
作者:
Qian Wang
;
Xinhong Cheng
;
Li Zheng
;
Lingyang Shen
;
Jingjie Li
;
Dongliang Zhang
;
Ru Qian
;
Yuehui Yu
会议名称:
《International Symposium on Power Semiconductor Devices and IC s》
|
2017年
关键词:
Hafnium;
73.
A new downsized HVIC with high ESD tolerance
机译:
具有高ESD耐受性的新型缩小的HVIC
作者:
Takahide Tanaka
;
Masaharu Yamaji
;
Akihiro Jonishi
;
Hidetomo Ohashi
;
Hitoshi Sumida
会议名称:
《International Symposium on Power Semiconductor Devices and IC s》
|
2017年
关键词:
electrostatic discharge;
power integrated circuits;
74.
A composite structure named self-adjusted conductivity modulation SOI-LIGBT with low on-state voltage
机译:
一种具有低导通电压的自调节电导率调制SOI-LIGBT的复合结构
作者:
Weifeng Sun
;
Jing Zhu
;
Zhuo Yang
;
Fangjuan Bian
;
Xin Tong
;
Ye Tian
;
Yangbo Yi
;
Yan Gu
;
Sen Zhang
;
Wei Su
会议名称:
《International Symposium on Power Semiconductor Devices and IC s》
|
2017年
关键词:
insulated gate bipolar transistors;
silicon-on-insulator;
75.
Performance and ruggedness of 1200V SiC — Trench — MOSFET
机译:
1200V SIC - Trench - MOSFET的性能和坚固性
作者:
Dethard Peters
;
Ralf Siemieniec
;
Thomas Aichinger
;
Thomas Basler
;
Romain Esteve
;
Wolfgang Bergner
;
Daniel Kueck
会议名称:
《International Symposium on Power Semiconductor Devices and IC s》
|
2017年
关键词:
MOSFET;
silicon compounds;
wide band gap semiconductors;
76.
Transient overvoltage induced failure of MOS-controlled thyristor under ultra-high di/dt condition
机译:
瞬态过电压诱导MOS控制晶闸管在超高DI / DT条件下的故障
作者:
Chao Liu
;
Wanjun Chen
;
Hong Tao
;
Yijun Shi
;
Xuefeng Tang
;
Wuhao Gao
;
Qi Zhou
;
Zhaoji Li
;
Bo Zhang
会议名称:
《International Symposium on Power Semiconductor Devices and IC s》
|
2017年
关键词:
inductance;
overvoltage;
pulsed power supplies;
thyristors;
77.
High/low-side hybrid output transistor with high thermal-SOA
机译:
高/低侧混合输出晶体管,具有高温水疗中心
作者:
Shinichiro Wada
;
Katsumi Ikegaya
;
Takayuki Oshima
;
Yoichiro Kobayashi
会议名称:
《International Symposium on Power Semiconductor Devices and IC s》
|
2017年
关键词:
clamps;
copper;
driver circuits;
power MOSFET;
semiconductor device models;
solenoids;
thermal analysis;
thermal diffusion;
78.
Edge termination design of a 700-V triple RESURF LDMOS with n-type top layer
机译:
具有N型顶层700V三重Resurf LDMOS的边缘终端设计
作者:
Ming Qiao
;
Zhengkang Wang
;
Huihui Wang
;
Feng Jin
;
Zhaoji Li
;
Bo Zhang
会议名称:
《International Symposium on Power Semiconductor Devices and IC s》
|
2017年
关键词:
MOSFET;
semiconductor device models;
79.
Low on-resistance high voltage thin layer SOI LDMOS transistors with stepped field plates
机译:
具有阶梯式场板的低电阻高压薄层SOI LDMOS晶体管
作者:
Kenji Hara
;
Tomoko Kakegawa
;
Shinichiro Wada
;
Tomoyuki Utsumi
;
Tetsuo Oda
会议名称:
《International Symposium on Power Semiconductor Devices and IC s》
|
2017年
关键词:
Erbium;
80.
Power cycling methods for SiC MOSFETs
机译:
用于SiC MOSFET的功率循环方法
作者:
C. Herold
;
J. Sun
;
P. Seidel
;
L. Tinschert
;
J. Lutz
会议名称:
《International Symposium on Power Semiconductor Devices and IC s》
|
2017年
关键词:
power MOSFET;
semiconductor device measurement;
silicon compounds;
temperature measurement;
thermal resistance measurement;
wide band gap semiconductors;
81.
Charge storage effect in SiC trench MOSFET with a floating p-shield and its impact on dynamic performances
机译:
具有浮动P-Shield的SiC沟电MOSFET中的电荷储存效果及其对动态性能的影响
作者:
Jin Wei
;
Meng Zhang
;
Huaping Jiang
;
Hanxing Wang
;
Kevin J. Chen
会议名称:
《International Symposium on Power Semiconductor Devices and IC s》
|
2017年
关键词:
Hafnium;
82.
Hole path concept for low switching loss and low EMI noise with high IE-effect
机译:
用于低开关损耗的孔路径概念和高IE效应的低EMI噪声
作者:
M. Sawada
;
Y. Sakurai
;
K. Ohi
;
Y. Ikura
;
Y. Onozawa
;
T. Yamazaki
;
Y. Nabetani
会议名称:
《International Symposium on Power Semiconductor Devices and IC s》
|
2017年
关键词:
electromagnetic interference;
insulated gate bipolar transistors;
83.
Increasing breakdown voltage of p-channel LDMOS in BCD technology with novel backside process
机译:
提高BCD技术中P沟道LDMOS的击穿电压,具有新的背面工艺
作者:
Carsten Schmidt
;
Gerhard Spitzlsperger
会议名称:
《International Symposium on Power Semiconductor Devices and IC s》
|
2017年
关键词:
Electrodes;
Substrates;
Silicon;
Implants;
Junctions;
Doping;
Bonding;
84.
Process design of superjunction MOSFETs for high drain current capability and low on-resistance
机译:
高漏电流能力和低导通电流仪的超结MOSFET的工艺设计
作者:
Wataru Saito
会议名称:
《International Symposium on Power Semiconductor Devices and IC s》
|
2017年
关键词:
junction gate field effect transistors;
MOSFET;
semiconductor doping;
semiconductor junctions;
85.
A circuit simulation flow for substrate minority carrier injection in smart power ICs
机译:
智能电力IC中衬底少数载波喷射的电路仿真流程
作者:
Michael Kollmitzer
;
Markus Olbrich
;
Erich Barke
会议名称:
《International Symposium on Power Semiconductor Devices and IC s》
|
2017年
关键词:
Substrates;
Sensors;
Mathematical model;
Integrated circuit modeling;
Electric potential;
Current density;
Circuit simulation;
86.
High speed digital optical signal transferforpower transistor gate driver applications
机译:
高速数字光信号传输电动机晶体管栅极驱动器应用
作者:
Davy Colin
;
Nicolas Rouger
会议名称:
《International Symposium on Power Semiconductor Devices and IC s》
|
2017年
关键词:
clocks;
CMOS integrated circuits;
driver circuits;
power transistors;
signal processing equipment;
87.
IGBT field-stop design for good short circuit ruggedness and a better trade-off with respect to static and dynamic switching characteristics
机译:
IGBT现场停止设计对于良好的短路坚固性和静态和动态开关特性的更好的折衷
作者:
H. P. Felsl
;
F.-J. Niedemostheide
;
H.-J. Schulze
会议名称:
《International Symposium on Power Semiconductor Devices and IC s》
|
2017年
关键词:
doping profiles;
insulated gate bipolar transistors;
technology CAD (electronics);
88.
Buffer trapping-induced RON degradation in GaN-on-Si power transistors: Role of electron injection from Si substrate
机译:
GaN-On-Si功率晶体管中的缓冲液捕获诱导的RON劣化:电子注入来自SI衬底的作用
作者:
Shu Yang
;
Chunhua Zhou
;
Shaowen Han
;
Kuang Sheng
;
Kevin J. Chen
会议名称:
《International Symposium on Power Semiconductor Devices and IC s》
|
2017年
关键词:
Hafnium;
89.
High power density side-gate HiGT modules with sintered Cu having superior high-temperature reliability to sintered Ag
机译:
具有烧结CU的高功率密度侧栅极HIGT模块对烧结AG具有优异的高温可靠性
作者:
Tomoyasu Furukawa
;
Masaki Shiraishi
;
Yuusuke Yasuda
;
Akitoyo Konno
;
Mutsuhiro Mori
;
Toshiaki Morita
;
Sou Watanabe
;
Taiga Arai
;
Masato Nakamura
;
Daisuke Kawase
会议名称:
《International Symposium on Power Semiconductor Devices and IC s》
|
2017年
关键词:
copper;
high-temperature electronics;
insulated gate bipolar transistors;
modules;
silver;
sintering;
90.
Distributed electro-thermal model based on fast and scalable algorithm for GaN power devices and circuit simulations
机译:
基于快速和可扩展算法的分布式电热模型和GaN电源装置和电路模拟
作者:
Vice Sodan
;
Steve Stoffels
;
Herman Oprins
;
Martine Baelmans
;
Stefaan Decoutere
;
Ingrid De Wolf
会议名称:
《International Symposium on Power Semiconductor Devices and IC s》
|
2017年
关键词:
gallium compounds;
III-V semiconductors;
power semiconductor devices;
semiconductor device models;
91.
Challenges in reliably driving GaN devices
机译:
可靠地驾驶GaN设备的挑战
作者:
Paul L. Brohlin
会议名称:
《International Symposium on Power Semiconductor Devices and IC s》
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2017年
关键词:
gallium compounds;
high electron mobility transistors;
III-V semiconductors;
power factor correction;
92.
New power module integrating output current measurement function
机译:
新电源模块集成输出电流测量功能
作者:
S. Tabata
;
K. Hasegawa
;
M. Tsukuda
;
I. Omura
会议名称:
《International Symposium on Power Semiconductor Devices and IC s》
|
2017年
关键词:
electric current measurement;
field programmable gate arrays;
integrating circuits;
invertors;
printed circuits;
93.
Trench schottky rectifiers with non-uniform trench depths
机译:
具有非均匀沟槽深度的沟槽肖特基整流器
作者:
Mihir Mudholkar
;
Mohammed Tanvir Quddus
;
Yohai Kalderon
;
Mike Thomason
;
Ali Salih
会议名称:
《International Symposium on Power Semiconductor Devices and IC s》
|
2017年
关键词:
Doping;
Metals;
Logic gates;
Wireless communication;
Anodes;
Cathodes;
Performance evaluation;
94.
A novel 80 V HS-DMOS with gradual-RESURF profile to reduce Ron_sp for high-side operation
机译:
具有渐变Resurf配置文件的新型80 V HS-DMO,可减少RON_SP,用于高侧操作
作者:
Tsung-Yi Huang
;
Chien-Hao Huang
;
Chih-Fang Huang
;
Jing-Meng Liu
;
Kuo-Hsuan Lo
;
Chia-Hui Cheng
;
Jheng-Yi Jiang
;
Tzung-Ying Tsai
;
Ting-Wei Liao
;
Jeng Gong
会议名称:
《International Symposium on Power Semiconductor Devices and IC s》
|
2017年
关键词:
buried layers;
MOS integrated circuits;
95.
Simple and efficient approach to improve hot carrier immunity of a p-LDMOSFET
机译:
改善P-LDMOSFET的热载体免疫的简单有效方法
作者:
Atsushi Sakai
;
Katsumi Eikyu
;
Hiroki Fujii
;
Takahiro Mori
;
Yutaka Akiyama
;
Yasuo Yamaguchi
会议名称:
《International Symposium on Power Semiconductor Devices and IC s》
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2017年
关键词:
Logic gates;
Cooling;
Degradation;
Human computer interaction;
Stress;
Market research;
Doping;
96.
Investigations of inhomogeneous reverse recovery behavior of the body diode in superjunction MOSFET
机译:
超结二极管中体二极管的非均相反向恢复行为的研究
作者:
Zhuo Yang
;
Jing Zhu
;
Xin Tong
;
Weifeng Sun
;
Fangjuan Bian
;
Ye Tian
;
Yuanzheng Zhu
;
Peng Ye
;
Zongqing Li
;
Bo Hou
会议名称:
《International Symposium on Power Semiconductor Devices and IC s》
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2017年
关键词:
avalanche breakdown;
bridge circuits;
invertors;
power MOSFET;
power semiconductor diodes;
semiconductor device breakdown;
semiconductor device models;
97.
Design and control of interface reaction between Al-based dielectrics and AlGaN layer for hysteresis-free AlGaN/GaN MOS-HFETs
机译:
用于滞后AlGaN / GaN MOS-HFET的基于Al基电介质和AlGaN层的界面反应的设计与控制
作者:
K. Watanabe
;
M. Nozaki
;
T. Yamada
;
S. Nakazawa
;
Y. Anda
;
M. Isliida
;
T. Ueda
;
A. Yoshigoe
;
T. Hosoi
;
T. Shimura
;
H. Watanabe
会议名称:
《International Symposium on Power Semiconductor Devices and IC s》
|
2017年
关键词:
aluminium compounds;
dielectric materials;
gallium compounds;
III-V semiconductors;
insulators;
MOSFET;
wide band gap semiconductors;
98.
A snapback-free shorted-anode SOI LIGHT with multi-segment anode
机译:
具有多段阳极的无循环短路阳极SOI灯
作者:
Kun Zhou
;
Tao Sun
;
Qing Liu
;
Bo Zhang
;
Zhaoji Li
;
Xiaorong Luo
会议名称:
《International Symposium on Power Semiconductor Devices and IC s》
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2017年
关键词:
Erbium;
99.
A novel high-voltage LDMOS with shielding-contact structure for HCl SOA enhancement
机译:
具有HCl SOA增强的屏蔽接触结构的新型高压LDMOS
作者:
Hsin-Liang Liu
;
Ze-Wei Jhou
;
Shih-Teng Huang
;
Shu-Wen Lin
;
Ke-Feng Lin
;
Chiu-Te Lee
;
Chih-Chong Wang
会议名称:
《International Symposium on Power Semiconductor Devices and IC s》
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2017年
关键词:
electrical contacts;
impact ionisation;
MOSFET;
shielding;
silicon;
technology CAD (electronics);
100.
An AlGaN/GaN current regulating diode
机译:
AlGaN / GaN电流调节二极管
作者:
Anhang Zhang
;
Qi Zhou
;
Wanjun Chen
;
Yuanyuan Shi
;
Zhaoji Li
;
Bo Zhang
会议名称:
《International Symposium on Power Semiconductor Devices and IC s》
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2017年
关键词:
aluminium compounds;
anodes;
cathodes;
gallium compounds;
hysteresis;
semiconductor diodes;
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