高均匀和无缺陷的外延淀积工艺

李添臣

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＜正＞对于迅速发展中的、应用硅外延层的半导体器件和集成电路来说,制得厚度均匀与电阻率可控、表面质量良好的外延层是很重要的。淀积工艺的若干改进促使实现这种均匀性和表面质量。主要包括反应管的形状和合理的结构设计。用于硅汽相淀积的反应器的设计基本上有三种:即立式、桶式、和卧式。立式反应器采用转动或不转动的台式基座,由反应室外部加热。反应气体可以由反应室的顶部或底部引入反应室。这两种情况中,当气体接近基座和在不同的垂直面碰撞衬底时产生骚动。桶式反应器一次可淀积大量的片子。片子放置在反应室外部加热的旋转的圆筒基座上。在卧式结构中,片子

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来源
《微电子学》 |1973年第2期|8-15|共8页
作者
李添臣;
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