非致冷In_(0.53)Ga_(0.47)As/InP红外探测器研究

缪国庆; 殷景志; 金亿鑫; 蒋红; 张铁民; 宋航

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采用LPMOCVD技术生长了InGaAs红外探测器器件结构材料,其晶格失配为2.19×10-4.利用锌扩散制备探测器单元器件,光谱响应范围为0.90～1.70μm,在1.95V偏压下,暗电流为5.75×10-5A,在反向偏压为-5V时,电容为6.96×10-12F.探测器波段探测率为2.08×1011cmHz1/2W-1.

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来源
《人工晶体学报》 |2005年第6期|1056-1058|共3页
作者
缪国庆; 殷景志; 金亿鑫; 蒋红; 张铁民; 宋航;
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作者单位

中国科学院长春光学精密机械与物理研究所激发态物理重点实验室;

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正文语种 chi
中图分类材料;
关键词
金属有机化学气相沉积; 铟镓砷; 探测器;

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