S i基外延G aN中缺陷的腐蚀研究

赵丽伟; 刘彩池; 滕晓云; 朱军山; 郝秋艳; 孙世龙; 王海云; 徐岳生; 胡家辉; 冯玉春; 郭宝平

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本文采用KOH:H2O=3:20～1:25(质量比)的KOH溶液,对Si基外延GaN进行湿法腐蚀.腐蚀后用扫描电子显微镜(SEM)观察,GaN面出现了六角腐蚀坑,它是外延层中的位错露头,密度约108/cm2.腐蚀坑的密度随腐蚀时间延长而增加,说明GaN外延生长过程中位错密度是逐渐降低的,部分位错因相互作用而终止于GaN体内.观察缺陷腐蚀形貌还发现,接近裂纹处腐蚀坑的密度要高于远离裂纹处腐蚀坑的密度,围绕裂纹有许多由裂纹引起的位错.腐蚀坑的密度可以很好地反映GaN晶体的质量.晶体质量较差的GaN片,腐蚀后其六角腐蚀坑的密度高.

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来源
《人工晶体学报》 |2005年第6期|1079-1082|共4页
作者
赵丽伟; 刘彩池; 滕晓云; 朱军山; 郝秋艳; 孙世龙; 王海云; 徐岳生; 胡家辉; 冯玉春; 郭宝平;
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作者单位

河北工业大学信息功能材料研究所;

深圳大学光电子学研究所;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类材料;
关键词
GaN; 湿法腐蚀; 六角腐蚀坑; SEM;

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