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一种表征GaN外延层中缺陷的碱性腐蚀剂及制备方法

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本发明公开一种表征GaN外延层中缺陷的碱性腐蚀剂及制备方法。该碱性腐蚀剂特征在于其由两种强碱KOH和NaOH按照1-2:2-1的质量比混均而成，用于GaN材料的湿法化学腐蚀。该制备方法先将颗粒状的两种强碱NaOH和KOH分别放在称量纸上，并按所述质量比例分别称取两种强碱；再将按质量比称量好的两种强碱放入镍坩埚中混合均匀即可。

著录项

公开/公告号CN102494934A

专利类型发明专利
公开/公告日2012-06-13

原文格式PDF
申请/专利权人河北工业大学;
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申请/专利号CN201110428484.6
发明设计人田园;刘彩池;郝秋艳;解新建;张昆;
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申请日2011-12-16
分类号G01N1/32;G01N23/22;
代理机构天津翰林知识产权代理事务所(普通合伙);
代理人李济群
地址 300401 天津市北辰区河北工业大学北辰校区
入库时间 2023-12-18 05:21:27

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2014-01-15

发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):G01N1/32 申请公布日:20120613 申请日:20111216

发明专利申请公布后的视为撤回
2012-07-18

实质审查的生效 IPC(主分类):G01N1/32 申请日:20111216

实质审查的生效
2012-06-13

公开

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