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国产炉拉制Φ78～85mm无位错区熔硅单晶中“毛剌”产生的机理及消除方法

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本文介绍了在国产设备上试制生产Φ>76.2mm无位错区熔硅单晶过程中多次遇到而又必须解决的常见问题之一——“毛刺”问题.着重讨论了“毛刺”产生的宏观机理,并介绍了为有效地防止“毛刺”产生所采取的各种措施.

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来源
《半导体技术》 |1993年第4期|50-53|共4页
作者
黄立新;
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作者单位

四川峨眉半导体材料厂;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类 TN304.053;
关键词
单晶炉; 单晶控制; 毛刺; 硅;

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