〈111〉籽晶的偏角和偏离方向对生长无位错真空区熔硅单晶的影响

机译：在GaAs衬底上生长的变质GaInAs / AlInAs缓冲液中位错和倾斜的各向异性分布，其偏角朝向（111）A

机译：Czochralski方法生长的无位错硅单晶中生长和生长的微缺陷形成的理论和实验研究

机译：无位错硅单晶中空位微孔和间隙位错环形成的动力学

机译：无位错硅单晶中微缺陷的形成，生长和转变机理

机译：用于从熔体中生长的半导体晶体中位错生成的有限元建模。

机译：铜籽晶层的晶粒取向对111取向纳米孪晶铜生长的影响

机译：回应'评论'从熔体中生长的硅单晶的本征点缺陷并入，重新审视''[J.申请物理学。 111,116102（2012）]

机译：带无位错区裂纹尖端螺旋位错的倾斜堆积

机译：无位错单晶硅单晶拉拔装置-籽晶安装在滑块上，可通过外部电机横向移动

机译：区域熔化法生产硅单晶，包括在熔化棒下端的熔化区熔化块状材料，并使熔化区与籽晶接触，从而使单晶在籽晶上生长。

机译：通过无坩埚的熔化区方法制造无位错的硅单晶的方法